ALD原子層沉積系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)型（Standard ）設(shè)備
廉價、高質(zhì)量、可任選附件
結(jié)構(gòu)簡單，操作和維護(hù)容易
多用途
擴(kuò)展型（Flexivol）設(shè)備
腔室體積可根據(jù)用戶樣品的尺寸靈活調(diào)節(jié)，同一腔室可通過簡單的調(diào)節(jié)適用于不同厚度的樣品
增多前驅(qū)體源入口數(shù)目，避免腔室體積增大對前驅(qū)體化學(xué)源氣氛分布的影響
高度定制化（Non-Standard）設(shè)備
為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案
放大基于標(biāo)準(zhǔn)研究型設(shè)備檢驗(yàn)的相同技術(shù)
根據(jù)客戶的特殊需求，加工定制，滿足特殊應(yīng)用及大規(guī)模的生產(chǎn)需要
研發(fā)（R&D）服務(wù)
開發(fā)新的薄膜沉積方案
診斷、改進(jìn)現(xiàn)有ALD的工藝
為潛在的客戶做覆膜演示
薄膜沉積工藝咨詢
技術(shù)參數(shù)
不銹鋼材質(zhì)腔室，根據(jù)客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑（D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm）和高度（H = 20 mm, H = 50 mm）可選；前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)標(biāo)配四路（包含冷和熱兩種前軀體），可配至八路
前驅(qū)體進(jìn)樣系統(tǒng)配有快速氣動閥門
多段溫度控制
前驅(qū)體溫控0-200 °C，精度1 °C
腔室溫控0-300 °C ，精度1 °C
進(jìn)出腔室管路溫控0-150 °C ，精度1 °C
基本壓強(qiáng) 10^−1/10^−3 mbar
設(shè)備尺寸 1000x600x1000 mm
觸控控制系統(tǒng)
系統(tǒng)當(dāng)前狀態(tài)信息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等
工藝監(jiān)控：溫度和壓力等
偏差報警和安全鎖
菜單操作，實(shí)時監(jiān)控
可增配選項(xiàng)
等離子體發(fā)生器 借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強(qiáng)ALD性能
臭氧發(fā)生器 提供強(qiáng)氧化劑，增大ALD生長的前驅(qū)體選擇范圍
石英晶體微天平 在線監(jiān)測薄膜沉積的厚度
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