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二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測器Amptek 探測器是 X 射線光譜測量領域技術的代表，可提供超高的能量分辨率、低能量效率、計數(shù)率、峰背比，并且成本低廉，適用于便攜式系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、OEM 儀器和實驗室研究。Amptek 在該系列下?lián)碛袔追N不同類型的探測器，它們均采用核心技術，但針對不同的應用進行了優(yōu)化。

探測器類型
FAST SDD：這是 Amptek 性能最高的探測器。對于對性能要求很高的用戶，建議使用 FAST SDD。它可以提供超高的能量分辨率（在 5.895 keV 時低至 122 eV FWHM），可以測量能量 X 射線（在 52 eV 時低至 Li Ka 線），具有超高的峰背比，可以以超高的計數(shù)率（> 1 Mcps）運行，并可提供******面積（****** 70 mm2）。FAST SDD 被廣泛用于最嚴苛的 XRF 應用、EDS 和 SEMS/TEM、同步加速器和其他研究系統(tǒng)中。
SDD： 推薦需要中等能量分辨率和計數(shù)率的用戶使用。SDD 的典型分辨率為 125 eV，計數(shù)率通常為 200 kcps。它被廣泛用于許多便攜式 XRF 應用。
Si-PIN：建議用于需要中等能量分辨率和計數(shù)率且預算不高的應用。Si-PIN 器件具有傳統(tǒng)的平面結構，電子噪聲比 SDD 更大，但更易于制造。目前有三種不同的 Si-PIN 型號，面積分別為 6 mm2、13mm2 和 25 mm2。6 mm2 探測器可以高達 50k cps 的計數(shù)率在 5.9 keV Mn Ka 線處提供 140 eV FWHM 的能量分辨率。13 mm2 和 mm2 探測器在相同的計數(shù)率下可提供典型的能量分辨率為 180 和 210 eV 。
CdTe：推薦用于 20-30 keV 以上的應用。CdTe 的阻止本領比 Si 高得多，可以制造得更厚，因此對所有特征 X 射線（甚至到 U 的 K 線）都具有高效率。CdTe 的電子噪聲比任何一個 Si 探測器都要差（5.9 keV Mn Ka 線處的分辨率通常為 450 eV FWHM），這使 Si 探測器成為低于 20 keV 能量應用的更好選擇。但是，在 20 至 30 keV 以上，分辨率主要由 Fano 展寬決定，因此差異變小，特征 X 射線間距更寬，Si 探測器的效率下降，這使 CdTe 成為更好的選擇。CdTe 探測器非常適合測量 X 射線管的頻譜，適用于效率非常重要而能量分辨率不那么重要的應用。  CdTe 也是伽馬射線應用的不錯選擇。

探測器選型表

*所有結果均在探測器冷卻的情況下獲得。峰背（P/B）比是指 13 和 25 mm2 Si-PIN 從 5.9 keV 到 2 keV 的計數(shù)比以及所有 SDD 和 6 mm2 Si-PIN 從 5.9 keV 到 1 keV 的計數(shù)比。用戶在選擇探測器時不僅應考慮分辨率，還應考慮面積、厚度、吞吐量和峰背比。

探頭性能對比

圖1. Si-PIN 和 SDD 探測器的分辨率與峰值時間之間的關系。峰值時間約為 2.4 倍整形時間。

圖2. 6 mm2、13 mm2 和 25 mm2 Si-PIN 探測器的分辨率與峰值時間和溫度之間的關系。

圖3. 25 mm2 標準和 FAST SDD 探測器的分辨率與峰值時間和溫度之間的關系。

圖4. 70 mm2 FAST SDD 探測器的分辨率與峰值時間和溫度之間的關系。

二手shimadzu EDX-7000/LEplus SDD檢測器探頭配置
所有Amptek X射線探測器元件均有 XR-100、X-123 或 OEM 配置。
XR-100 配置僅包括探測器和前置放大器，必須與 PX5 數(shù)字脈沖處理器或 DP5/PC5處理器和電源構成完整系統(tǒng)。XR-100/PX5 組合最為靈活，專為實驗室和研究用途而設計。
X-123 包括探測器、數(shù)字脈沖處理器和電源，是一個完整的系統(tǒng)。X-123 配置是臺式和對尺寸、便攜性等應用的理想選擇。
對于手持式和定制應用，還有更小尺寸的OEM配置可供選擇。