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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>常用儀表>電子儀表>多路巡檢儀>IST 8900 半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

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IST 8900 半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


      深圳市華瑞高電子技術(shù)有限公司是專(zhuān)業(yè)的電磁兼容(EMC)儀器儀表*公司,公司專(zhuān)業(yè)提供*的電磁兼容(EMC)測(cè)試設(shè)備,電磁干擾/抗干擾診斷系統(tǒng),并提供專(zhuān)家級(jí)的EMC測(cè)試技術(shù)和咨詢服務(wù)。 

    為及時(shí)把國(guó)外EMC法規(guī)較早動(dòng)態(tài)傳遞給客戶,我們定期會(huì)聯(lián)合廠家在深圳舉行EMC研討會(huì),內(nèi)容涵蓋國(guó)外EMC法規(guī)較早信息、EMC設(shè)備發(fā)展趨勢(shì)及新品、EMC測(cè)試技術(shù)等。 

    憑借著雄厚的技術(shù)實(shí)力與嫻熟的技術(shù)服務(wù),經(jīng)過(guò)多年切實(shí)的努力,我們所代理的EMC產(chǎn)品有:瑞士EMC PARTNER公司的EMS測(cè)試設(shè)備和諧波電壓閃爍測(cè)試設(shè)備、瑞士TESTQ公司的EMS全系列產(chǎn)品、德國(guó)FRANKONIA公司的RS,CS抗擾度測(cè)試系統(tǒng)、意大利PMM公司的EMI測(cè)試設(shè)備、日本NOISEKEN公司的EMS設(shè)備、德國(guó)Schroder公司的EMS測(cè)試設(shè)備、上海凌世電子有限公司的全系EMS產(chǎn)品等(其中EMC PARTNER公司的Mr. Martin Lutz是IEC TC77/65委員會(huì)的委員)。上述設(shè)備均已獲得國(guó)內(nèi)多家EMC學(xué)術(shù)研究機(jī)構(gòu)和EMC實(shí)驗(yàn)認(rèn)證機(jī)構(gòu)的認(rèn)可及采用。目前,我司在廣東地區(qū)已擁有數(shù)百家EMC產(chǎn)品客戶(如華為,創(chuàng)維,中興,天馬微,微高,華測(cè),東莞電子科技大學(xué)等)。 

    我司所代理產(chǎn)品可滿足:IEC、CISPR、EN、FCC、UL、Bellcore、ITU、MIL-STD、VDE、CSA、GB、ANSI等相關(guān)EMC及安全標(biāo)準(zhǔn)。與您共同解決電磁兼容(EMC)測(cè)試技術(shù)的困擾是深圳市華瑞高電子技術(shù)有限公司全體同仁的較大心愿。我們堅(jiān)信,以我們優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、專(zhuān)業(yè)的技術(shù)和服務(wù),就一定可以與您共贏未來(lái)。

 

 

靜電放電發(fā)生器,靜電放電模擬器,靜電槍?zhuān)娍焖倜}沖發(fā)生器,雷擊浪涌發(fā)生器,周波跌落發(fā)生器,工頻磁場(chǎng)發(fā)生器,電壓跌落發(fā)生器,衰減振蕩波發(fā)生器

IST 8900半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)真正一臺(tái)完整而具有“性價(jià)比”的半導(dǎo)體元件自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng),能測(cè)試從毫瓦(mW)到千瓦(kW)級(jí)全功率系統(tǒng)的多種半導(dǎo)體元件!

特點(diǎn):
☆ 可檢測(cè)12種半導(dǎo)體元件的參數(shù)多達(dá)135個(gè);
☆ 可單機(jī)獨(dú)立操作,測(cè)試范圍達(dá)2500V及50A;
☆ 具有自我校正及自我測(cè)試診斷之功能;
☆ 外接大電流機(jī)箱或高壓裝置,檢測(cè)范圍可擴(kuò)展至4800A及10KV;
☆ 具有USB接口,可外接PC、打印機(jī)、數(shù)據(jù)記錄器;
☆ 測(cè)試程序可儲(chǔ)存及重復(fù)使用;
☆ 錯(cuò)誤或損壞的元件,在未進(jìn)入?yún)?shù)測(cè)試前,便可被自動(dòng)篩除;
☆ 提供全自動(dòng)好/壞判別或參數(shù)上的測(cè)量;
☆ 提供Windows PC Curve Tracer特性曲線軟件(選購(gòu));
☆ 具有機(jī)械手接口,可供大量生產(chǎn)測(cè)試;
☆ 任何管腳錯(cuò)誤的連接,均可在啟動(dòng)時(shí),安全快速地檢測(cè)到,且自動(dòng)停止測(cè)試動(dòng)作;
☆ 測(cè)試程序的產(chǎn)生,采用填充式的引導(dǎo)方式;
☆ 測(cè)試光耦輸出端為三極管或交直流可控硅的元件;
☆80μs~300μs脈沖測(cè)試間隔,可防止元件過(guò)熱造成的數(shù)據(jù)漂移或損毀。
☆ 采用自動(dòng)校準(zhǔn)軟件技術(shù),可排除連接插件接觸面、電路板上的線路或繼電器接點(diǎn)上細(xì)微的壓降問(wèn)題,以避免使用昂貴而麻煩的KELVIN插座,保證MOSFET的Rds(on)精度可達(dá)±1mΩ (±0.001Ω)。


 元件類(lèi)型

 

 漏電流

 

 崩潰電壓

 

 導(dǎo)通參數(shù)

 

 放大倍率

 

 觸發(fā)參數(shù)

 

 閂扣參數(shù)

 

 保持參數(shù)

 

 開(kāi)關(guān)參數(shù)

 

 Bipolar

 Transistor

 

 Iceo、Ices、Icev、Icbo、Iebo

 

 BVceo、BVces

 BVcev、BVcbo

 BVebo

 

 Vce(sat)

 Vbe(sat)

 

 hFE

 

 Vbe(on)

 

  

 

  

 

 ton

 toff

 

 MOSFET

 Transistor

 

 Idss、Igsr、Igsf、Idsv

 

 BVdss

 

 Vds(on)、Ids(on)

 Rds(on)、Vsd

 

 gFS

 

 Vgs(th)

 Vgs(on)

 

  

 

  

 

 ton

 toff

 

 IGBT

 

 Ices、Igsr、Igsf

 

 BVces

 

 Vce(sat)、

 Ic(on)、Vf

 

 gFS

 

 Vge(th)

 Vge(on)

 

  

 

  

 

 ton

 toff

 

 TRIAC

 

 Idrm、Irrm

 

 BVrrm、BVdrm

 

 Vtm+、Vtm-

 

  

 

 Iga 1/2/3/4

 Vga 1/2/3/4

 

  

 

 Ih+、Ih-

 

  

 

 SCR

 

 Idrm、Irrm、Igko

 

 BVdrm、BVrrm

 BVgko

 

 Vtm

 

  

 

 Igt、Vgt

 

 IL

 

 Ih

 

  

 

 GTO

 

 Idrm、Irrm、Igrm

 

  

 

 Vtm

 

  

 

 Igt、Vgt

 

 IL

 

 Ih

 

  

 

 DIODE

 

 Ir

 

 BVr

 

 Vf、If

 

  

 

  

 

  

 

  

 

  

 

 Zener Diode

 

 Ir

 

 BVz、BVr

 

 Vf

 

  

 

  

 

  

 

  

 

  

 

 J-FET

 

 Igss

 

 BVgss

 

 Idss、Rds(on)

 Vds(on)

 

 gFS

 

  

 

 Vgs(p)

 

 Id(p)

 

  

 

 Regulator

 

  

 

  

 

 +/-Vo、+/-Ipk

 +/-Isc

 

  

 

  

 

 +/-dV

 

 +/-0r、+/-Ir

 

  

 

 Optoisolator

 

 Irrm、Ir、Iceo

 Icbo、Iebo

 Ic(off)、Idrm

 

 BVceo、BVcbo

 BVebo

 

 Vf、Ic(on)、

 Vce(sat)、Vtm

 

 CTR、hFE

 

 Igt

 

  

 

 Ih

 

  

 

 VTS

 

 Ir

 

 BVr

 

 Vbo、bo、dVbo

 

  

 

  

 

  

 

  

 

  

 

大功率半導(dǎo)體元件的測(cè)試
當(dāng)功率模塊老化時(shí),其工作效能必定降低,一個(gè)應(yīng)用在大功率開(kāi)關(guān)上的功率元件,在其使用期限內(nèi),如能定期維護(hù)測(cè)
試,可確保其使用的*狀態(tài),防止故障發(fā)生。
IST 8900半導(dǎo)體元件全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),可以仿真元件在真正工作狀態(tài)下的電流及電壓,并測(cè)量重要參數(shù)的數(shù)據(jù),再與
原出廠指標(biāo)比較,由此來(lái)判定元件的好壞或退化的百分比。
導(dǎo)通參數(shù)測(cè)試如:Vce(sat)、Vds(on)、Rds(on)、Vf及Vtm等,可由選購(gòu)?fù)獠侩娏髂KM2400與M4800,將IST 8900的大功率測(cè)試電流擴(kuò)大至數(shù)千安培。
每個(gè)電流模塊,都具有獨(dú)立的供電系統(tǒng),以便在測(cè)試時(shí),提供內(nèi)部電路及電池組充電之用;IST 8900可通過(guò)一個(gè)DB-25接口,連續(xù)控制電流量0~2400A或0~4800A。
可選購(gòu)?fù)獠扛邏耗K,執(zhí)行關(guān)閉狀態(tài)參數(shù)測(cè)試如:各項(xiàng)崩潰電壓與漏電流測(cè)量達(dá)10KV。
泄漏電流測(cè)量檔位 Leakage Current Measurement Range
測(cè)試參數(shù)
Parameter
電流檔位
Current Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測(cè)量條件
Test Condition
Iceo/s/v、Icbo、
Iebo、Idss/v、
Igsr/f、Idrm、
Irrm、Igko、
Igss、Ir、
Ic(off)
0 - 400 nA 0.1 nA ± 3% 0 - 2.5 KV
0 - 4 μA 1 nA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 40 μA 10 nA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 400 μA 0.1 nA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 4 mA 1 μA ± 1% 0 - 2.5 KV
0 - 40 mA 10 μA ± 1% 0 - 2.0 KV
0 - 400 mA 0.1 mA ± 1% 0 - 1 KV
崩潰電壓檔位 Breakdown  Voltage  Range
測(cè)試參數(shù)
Parameter
電壓文件位
Voltage Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測(cè)量條件
Test Condition
BVceo/s/v、BVcbo、Vebo、BVdss、BVr、BVdrm、BVrrm、BVgss、BVz 0 - 30 V 0.05 V ± 1% 0 - 5 A
30 - 60 V 0.05 V ± 1% 0 - 2 A
60 - 2500 V 0.3 V ± 2% 0 - 40 mA
導(dǎo)通電流測(cè)量檔位  On-State Current Range
測(cè)試參數(shù)
Parameter
電流檔位
Current Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測(cè)量條件
Test Condition
hFE、Vce(sat)、Vbe(on)、Vbe(sat)、Vds(on)、 Ids、Vds、Rds(on)、Ic(on)、Vf、If、Vtm、± Vo、± Ipk、± Isc、Vbo、Ibo 0 - 20 mA 5 μA ±13% 0 - 40 V
0 - 200 mA 50 μA ± 1% 0 - 40 V
0 -2 A 0.5 mA ± 1% 0 - 40 V
0 - 25 A 6 mA ± 1% 0 - 30 V
0-50 A 12mA ± 1% 0 - 20 V
觸發(fā)電流檔位  Trigger  Current Range
測(cè)試參數(shù)
Parameter
電流檔位
Current Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
測(cè)量條件
Test Condition
hFE、Vgs(th)、Vbe(on)、Vgs(on)、Vge(th)、Vge(on)、Igt、Vgt、IL、Ih、Ic(on)、Igt 1/2/3/4、Vgt 1/2/3/4 0 - 100 μA 20 nA ±1% 0 - 20 V
0 - 1 mA 0.2 μA ± 1% 0 - 20 V
0 -10 mA 2 μA ± 1% 0 - 20 V
0 - 100 mA 20 μA ± 1% 0 - 20 V
0 - 1 A 0.2 mA ± 1% 0 - 20 V
0 - 20 A 4 mA ± 1% 0 - 20 V
                     
 
 
觸發(fā)電壓文件位Trigger Voltage Range
測(cè)試參數(shù)
Parameter
電壓文件位
Voltage Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
Vbe(on),Vbe(sat),Vge(on), Vgs(on),  Vgt 0 - 20 V 4 mV ± 1%
開(kāi)關(guān)時(shí)間  Switching Time
測(cè)試參數(shù)
Parameter
電壓文件位
Voltage Range
分辨率
Resolution
精度
Accuracy
ton、toff 0 - 1095 ns
連續(xù)調(diào)整
5 ns ± 1%
             
 
機(jī)身規(guī)格
儀器 體積  高x深X寬 重量
主機(jī) 11.43cm x43.69cm x41.91cm 7.7 kg
M2400A 31.75cm x44.45cm x53.34cm 75 kg
M4800A 49.53cm x44.45cm x53.34cm 120 kg
10kV電壓模塊 12.7cm x 27.94cm x30.48cm 5.5 kg
標(biāo)準(zhǔn)配件:
● AC電源線
● 操作手冊(cè)
● 二極管軸心引腳測(cè)試治具
● 測(cè)試治具,適用于TO-220、202、237、218、92
● 測(cè)試治具,適用于TO-247、247 super
● 測(cè)試治具,適用于SMD封裝
選購(gòu)配件:
● 通用測(cè)試夾治具(短測(cè)試線)
● 通用測(cè)試夾治具(長(zhǎng)測(cè)試線)
● 測(cè)試插座轉(zhuǎn)接器,適用于單/雙光耦合裝置
● 測(cè)試治具,適用于TO-3、66、204
● DB-25公頭/公頭接口控制導(dǎo)線,適用于連接外部模
塊機(jī)箱
● 超彈性硅膠大功率測(cè)試線
● 夾式測(cè)試治具,適用于150mm直徑圓盤(pán)封裝
 



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