K系列(鍍金＼鍍鉑＼鍍碳＼濺鍍＼蒸鍍) 電鏡制樣設(shè)備

特點(diǎn)  •低電壓濺射  •高分辨率精細(xì)涂層(金顆粒達(dá)2  nm)  •均勻厚度沉積(掃描電鏡一般厚度為20nm  或200A)  •165  mm(6英寸)腔室  •無需冷卻樣品臺  •精確的再次涂層  •膜厚度重復(fù)性好  •容易裝載或卸載樣品  •可預(yù)設(shè)沉積厚度  儀器性能指標(biāo)  1.儀器尺寸：450mm  W  x  350mm  D  x  175mm  H  2.工作腔室：硼硅酸鹽玻璃  165mm  Dia  x  125mm  H  3.安全罩：聚碳酸酯  4.重量：18公斤  5.靶：60  mm  直徑  x  0.1mm  厚(金作為標(biāo)準(zhǔn)靶面)  6.樣品臺：60  mm直徑  7.真空范圍：ATM-1x10-2  mbar  8.沉積電流范圍：0-50mA  9.沉積速率：0-25nm/分  10.濺射時間：0-4  分鐘  11.預(yù)設(shè)置針閥：控制氬  12.電源：230  伏  50Hz  (10  amp  max.  including  Pump)    K500和K550的區(qū)別  K500:手動控制，樣臺不旋轉(zhuǎn)  K550:全自動控制      K系列(K550/K575,K450,K850...)其它制樣設(shè)備或電子顯微鏡（掃描電鏡、透射電鏡）附件：  Sputter  Coating  Systems  離子濺射鍍膜機(jī)(鍍金、鉑、鉻...)  Carbon  Coating  and  Evaporation  Systems  鍍碳機(jī)和蒸鍍機(jī)  Freeze  Driers(Peltier/LN2  Cooled  )  冷凍干燥機(jī)(Peltier電制冷/液氮制冷)  Critical  Point  Driers  臨界點(diǎn)干燥機(jī)  RF  Plasma  (Ashing/Etching)  Units  等離子蝕刻單元  Cryogenic  Systems  for  Electron  Microscopes  電鏡低溫系統(tǒng)  ESEM  /  VP  Cooling  Stage  環(huán)掃/可變真空冷臺  Glow  Discharge  Unit  輝光放電單元