PSM 電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡是由德國PANCO公司與德國宇航中心聯(lián)合研發(fā)的熱電材料精細測量設備，該設備主要用來測量熱電材料中電勢和塞貝克系數(shù)的二維分布情況。集成化、自動化的設計方案使系統(tǒng)使用非常方便。的穩(wěn)定性和可靠性彰顯了傳統(tǒng)德國制造業(yè)的良品質(zhì)。全新推出的第二代電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡（PSM II）在第yi代的基礎(chǔ)上具有更高的位置分辨率和更高的測量精度。

應用域：

1、熱電材料，超導材料，燃料電池，導電陶瓷以及半導體材料的均勻度測量

2、測量功能梯度材料的梯度

3、觀察材料退化效應

4、監(jiān)測 NTC/PTC 材料的電阻漂移

5、固體電介質(zhì)材料中的傳導損耗

6、陰材料的電導率損耗

7、GMR 材料峰值溫度的降低，電阻率的變化

8、樣品的質(zhì)量監(jiān)控

產(chǎn)品點：

+  唯yi可以精確測量Seebeck系數(shù)二維分布的商業(yè)化設備。

+  精確的力學傳感器可以確保探針與樣品良好的接觸。

+  采用鎖相技術(shù)，精度超過大型測試設備。

+  快速測量、方便使用，可測塊體和薄膜。

主要技術(shù)參數(shù)：

+  位置定位精度：單向 0.05 μm；雙向 1 μm

+  大掃描區(qū)域：100 mm × 100 mm 典型值

+  局部測量精度：5 μm（與該區(qū)域的熱傳導有關(guān)）

+  信號測量精度：100 nV（采用高精度數(shù)字電壓表）

+  測量結(jié)果重復性：重復性誤差于3%

+  塞貝克系數(shù)測量誤差：< 3% (半導體)；< 5% (金屬)

+  電導率測量誤差： < 4%

+  測量速度：測量個點的時間4-20秒

系統(tǒng)組成：

+  三矢量軸定位平臺及其控制器

+  定位操縱桿

+  加熱、測溫探針

+  力學接觸探測系統(tǒng)

+  模擬多路器

+  數(shù)字電壓表

+  鎖相放大器

+  攝像探測系統(tǒng)

+  帶有控制軟件和數(shù)據(jù)接口的計算機

+  樣品臺與樣品夾具

測試數(shù)據(jù)

1、塞貝克系數(shù)測量

Bi2Te2.85Se0.15梯度材料表面的塞貝克系數(shù)分布（數(shù)據(jù)來源，PANCO實驗室）

2、接觸電阻測量

存在界面的樣品通過該設備還可以測量出界面處的接觸電阻。通過測量電阻率隨針尖位置的變化，可以得到樣品界面處的接觸電阻。

接觸電阻可以通過連續(xù)測量界面兩側(cè)的電勢分布計算得到，圖中ΔR正比于接觸電阻。（數(shù)據(jù)來源，PANCO實驗室）

部分用戶名單：  

Beijing University of Technology

Corning Company

Korea Research Institute of Standards and Science

Shanghai Institute of Ceramics, CAS

Germany Air Force Research Lab

Simens Company

Gwangju Institute of Science and Technology

Hamburg University

Munich University