900PF 50KV 電網(wǎng)在線儀表無(wú)感高壓電容
參考價(jià) | ¥ 285 |
訂貨量 | ≥1 |
- 公司名稱(chēng) 東莞市普隆電子有限公司
- 品牌
- 型號(hào) 900PF 50KV
- 產(chǎn)地 廣東
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2018/1/30 20:07:20
- 訪問(wèn)次數(shù) 417
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IGBT IPM突波吸收薄膜電容器;高頻諧振電容器;高電壓大電流電容器;無(wú)感軸向吸收電容器;CBB電容馬達(dá)啟動(dòng)電容;鋁電解電容器;薄膜濾波電容器;薄膜電容器/安規(guī)電容器;諧濾波系統(tǒng)電容器;EGA電力電容器;油浸電容器;EGA電力電抗器; EGA電容器接觸器; EGA晶閘管; EGA去諧濾波模塊;PRCC型控制器;高儲(chǔ)能薄膜電容器;DC濾波電容器;緩沖電容器;高壓電容器
CBB 薄膜電容器,AC 250V 系列
PULOM 有機(jī)有機(jī)薄膜電容器/電解電容的淺薄認(rèn)識(shí),希望給大家對(duì)電解電容的使用有一個(gè)新的認(rèn)識(shí)!不僅僅是做電解電容,更希望傳播電解電容的正確選型知識(shí),一體的解決方案,我們用此思想也會(huì)一直貫通我們的服務(wù)。
一:針對(duì)舊貨來(lái)源的電子市場(chǎng)以及不正當(dāng)?shù)母?jìng)爭(zhēng)對(duì)手耐壓測(cè)試儀可以辨認(rèn)出電解電容的本來(lái)面目,為此本司所用電解電容的耐壓測(cè)試儀測(cè)量值(鋁箔腐蝕電壓=腐蝕電壓)皆為電解電容外皮所標(biāo)電壓的1.3倍以上【(160V及以上85度產(chǎn)品適用),(100V及以下85℃適用1.25倍以上)】。謹(jǐn)告所有客戶(hù),請(qǐng)簽訂合同時(shí)注明此項(xiàng)。(腐蝕電壓是電解電容價(jià)格的核心)以600V,85℃電解電容為例我們的電解電容用耐壓測(cè)試儀測(cè)量出來(lái)=1.30*600≈800V 105℃測(cè)量值為820V以上。假的產(chǎn)品耐壓低,造成壽命短,耐紋波電流低。
二:鋁電解電容知識(shí)拓展:
1:85℃產(chǎn)品:
5400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為715V以上
400V0V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為6400V以上
400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為585V以上
400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為520V以上
2400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為325V以上
200V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為260V以上
160V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為208V以上
100V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為125V—132V以上
80V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為100V以上
63V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為79V以上
400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為62.5V以上
2:105℃產(chǎn)品:
5400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為745V以上
400V0V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為660V以上
400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為595V以上
400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為540V以上
2400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為343V以上
200V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為270V以上
160V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為222V以上
100V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為132V以上
80V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為102V以上
63V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為84V以上
400V的耐壓測(cè)試儀測(cè)量電壓為66.5V以上
主 要 技 術(shù) 參 數(shù) Main Techical Specifications |
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項(xiàng) 目 Items | 性 能 要 求 Characteristics |
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標(biāo)準(zhǔn) Standard | Q/GZFLT 0203-2002 |
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氣候類(lèi)別 Climatic Category | 40/085/21 |
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額定電壓 Rated Voltage | 250V AC |
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電容量范圍 CapacitanceRange | 2.0 μF |
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電容量偏差 Capacitance Tolerance | ±10 %(K) |
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耐電壓 Withstand Voltage | 1.75UR,1S |
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絕緣電阻 Insulation Resistance | ≥10000 MΩ |
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損耗角正切 Dissipation Factor | ≤0.1% 1KHZ |