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SiC晶體基片

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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  合肥科晶材料技術(shù)有限公司成立于1997年,是由一群來自麻省理工學(xué)院和加州大學(xué)伯克利分校的材料研究人員創(chuàng)辦的美國MTI公司與中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院合資興辦的高新技術(shù)企業(yè)。主要生產(chǎn)氧化物晶體(A--Z)和材料實(shí)驗(yàn)室成套設(shè)備:包括“混料-壓料-燒料”(混料機(jī)、壓片機(jī)、箱式爐、真空管式爐)以及“定向-切割-研磨-拋光”(X射線定向儀、低速外圓鋸、金剛石線切割機(jī)、自動研磨、拋光機(jī))。公司自主研發(fā)生產(chǎn)上百款不同規(guī)格尺寸、溫度、高溫高壓及快速升溫等產(chǎn)品,其中包括:箱式爐、氣氛爐、管式爐、井式爐、RTP快速升溫爐、高溫高壓爐、鍍膜機(jī)、清洗劑及新能源鋰離子電池研發(fā)等相關(guān)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備?,F(xiàn)已成為氧化物晶體(A--Z)的主要制造商和材料研究實(shí)驗(yàn)室設(shè)備的*,為科研工作者提供材料研究解決方案。產(chǎn)品設(shè)計*、性能優(yōu)異,質(zhì)量可靠,性價比高,環(huán)保節(jié)能、返修率低,遠(yuǎn)銷到歐洲,美國,日本,德國等許多國家,廣泛應(yīng)用于物理、化學(xué)、冶金、醫(yī)學(xué)、新能源材料研發(fā)等領(lǐng)域,受到客戶*好評。
 
  科晶公司秉承"以人為本、技術(shù)為導(dǎo)、誠信為基、積極創(chuàng)新"的經(jīng)營理念,全力打造材料研發(fā)設(shè)備的品牌,竭力為科學(xué)進(jìn)步和社會發(fā)展做出貢獻(xiàn)。
 

真空管式爐,高溫箱式爐,高速震動球磨機(jī),RTP快速退火爐,高溫高壓爐,涂覆機(jī),電池制備設(shè)備等

產(chǎn)品名稱:

碳化硅(SiC)晶體基片

技術(shù)參數(shù):

晶胞結(jié)構(gòu)

 六方

晶格常數(shù)

 a =3.08 ?      c = 15.08 ?

排列次序

 ABCACB  (6H)

生長方法

 MOCVD

方向

 生長軸或偏(0001) 3.5°

拋光

 Si面拋光

帶隙

 2.93 eV (間接)

導(dǎo)電類型

 N

電阻率

 0.076 ohm-cm

介電常數(shù)

 e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

熱導(dǎo)率@300K

 5 W / cm . K

硬度

 9.2 Mohs


產(chǎn)品規(guī)格:

摻雜類型:6H N型 <0001> 表示專門摻N的,摻雜濃度10E18-10E19;4H N型半絕緣;
常規(guī)尺寸:dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm, 10x10mm,10x5mm;

拋光情況:單拋或雙拋

表面粗糙度:Ra<10A

常規(guī)晶向 :<0001>現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm,單拋 一種低電阻率(0.01~0.1 ohm.cm),一種是高電阻率(>10^5 ohm.cm)


標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級超凈室100級超凈袋包裝或單片盒、插盒裝


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