CHI400C 電化學(xué)石英晶體微天平 石英晶體微天平
- 公司名稱 北京恒奧德科技有限公司
- 品牌
- 型號(hào) CHI400C
- 產(chǎn)地 北京恒奧德科技有限公司
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2016/3/30 15:54:43
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粉塵測(cè)定儀,日照計(jì),表觀密度測(cè)定儀,流速計(jì),水質(zhì)分析儀,負(fù)壓式采樣器,位置傳感器,空氣壓縮機(jī),電阻測(cè)試儀,喊話器,生物顯微鏡,蘇生器,超聲波清洗機(jī),馬弗爐,石油產(chǎn)品粘度計(jì),太陽(yáng)能電池演示器,測(cè)力環(huán),濾膜,測(cè)厚儀,休止角測(cè)定儀,紅外加熱板,紫外線檢測(cè)儀等
電化學(xué)石英晶體微天平 石英晶體微天平 型號(hào):CHI400C
CHI400C系列時(shí)間分辨電化學(xué)石英晶體微天平(EQCM)是CH Instruments與武漢大學(xué)合作的產(chǎn)品(武漢大學(xué))。石英晶體微天平(QCM)可進(jìn)行極靈敏的質(zhì)量測(cè)量。在適當(dāng)?shù)臈l件下,石英晶體上沉積的質(zhì)量變化和振動(dòng)頻率移動(dòng)之間關(guān)系呈簡(jiǎn)單的線性關(guān)系(Sauerbrey公式):
Df = -2fo2 Dm / [A · sqrt(mr)]
式中是fo晶體的基本諧振頻率,A是鍍?cè)诰w上金盤的面積,r是晶體的密度(=2.684g/cm3),m是晶體切變系數(shù)(= 2.947´1011 g/cm·s2)。對(duì)于我們的晶體(fo = 7.995MHz, A = 0.196 cm2),每赫茲的頻率改變相當(dāng)于1.34 ng。QCM和EQCM被廣泛應(yīng)用于金屬沉積,高分子膜中離子傳遞,生物傳感器,以及吸附解吸動(dòng)力學(xué)的研究等等。
CHI400C系列電化學(xué)石英晶體微天平含石英晶體振蕩器,頻率計(jì)數(shù)器,快速數(shù)字信號(hào)發(fā)生器,高分辨高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),電位電流信號(hào)濾波器,信號(hào)增益,iR降補(bǔ)償電路,以及恒電位儀/恒電流儀(440C)。電位范圍為±10V,電流范圍為±250mA。電流測(cè)量下限低于50pA。石英晶體微天平和恒電位儀/恒電流儀集成使得EQCM測(cè)量變得十分簡(jiǎn)單方便。CHI400C系列采用時(shí)間分辨的方式測(cè)量頻率的改變。傳統(tǒng)的方法是采用頻率直接計(jì)數(shù)的方法,要得到1Hz的QCM分辨率,需要1秒的采樣時(shí)間。要得到0.1Hz的QCM分辨率,需要10秒的采樣時(shí)間。我們是將QCM的頻率和一標(biāo)準(zhǔn)頻率的差值作周期測(cè)量,從而大大縮短了采樣時(shí)間,提高了時(shí)間分辨。我們可在毫秒級(jí)的時(shí)間里得到1Hz或0.1Hz或的頻率分辨。當(dāng)和循環(huán)伏安法結(jié)合時(shí),可允許在0.5V/s的掃描速度下獲得QCM的信號(hào)。這對(duì)需要較快速的測(cè)量(例如動(dòng)力學(xué)測(cè)量)尤為重要。允許與QCM結(jié)合的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)包括CV,LSV,CA,i-t,CP。
400C系列在測(cè)量QCM頻率變化的同時(shí),還能測(cè)量晶體諧振網(wǎng)絡(luò)的電阻變化。
400C系列也是相當(dāng)快速的儀器。信號(hào)發(fā)生器的更新速率為10MHz,數(shù)據(jù)采集速率為1MHz。循環(huán)伏安法的掃描速度為1000V/s時(shí),電位增量?jī)H0.1mV。又如交流伏安法的頻率可達(dá)10KHz。儀器可工作于二,三,或四電極的方式。四電極對(duì)于大電流或低阻抗電解池(例如電池)十分重要,可消除由于電纜和接觸電阻引起的測(cè)量誤差。由于儀器集成了多種常用的電化學(xué)測(cè)量,使得儀器可用作通用電化學(xué)測(cè)量,也可單獨(dú)用作石英晶體微天平的測(cè)量(不同時(shí)進(jìn)行電化學(xué)測(cè)量)。
CHI400C系列EQCM還包括一個(gè)的電解池,如圖1(a)所示。電解池由三塊圓形的聚四氟乙烯組成。直徑為35mm,總高度為37mm。zui上面的是蓋子,用于安裝參比電極和對(duì)極。中間的是用于放溶液的池體。石英晶體被固定于中間和底下的部件之間,通過橡膠圈密封,并用螺絲固定。石英晶體的直徑為13.7mm,晶體兩面的中間鍍有5.1mm直徑的金盤電極(其它電極材料需定做)。新晶體的諧振頻率是7.995 MHz。
圖2顯示了1mM Pb2+在0.1MHClO4溶液中欠電位沉積的循環(huán)伏安圖和作為電位函數(shù)的相應(yīng)的頻率改變。掃描速度為0.05V/s。在-0.42V出現(xiàn)的陰極峰是由于單層欠電位沉積。-0.29V處的陽(yáng)極峰是由于鉛的溶出。頻率-電位圖顯示了由于鉛沉積而使頻率下降了25Hz(相當(dāng)于33.5ng)。
圖 1 . 典 型 的 電 化 學(xué) 石 英 晶 體 微 天 平 儀 器 的 圖 示 。 (a) 石 英 晶 體 的 兩 面 都 用 真 空 鍍 膜 機(jī) 鍍 上 了 金 膜 , 其 諧 振 頻 率 為 7.995 M Hz 。 晶 體 朝 上 的 一 面 的 金 盤 與 溶 液 接 觸 同 時(shí) 也 作 為 工 作 電 極 。 晶 體 和 安 裝 支 架 的 俯 視 圖 見 電 解 池 右 邊 。 (b) QCM 晶 體 振 蕩 時(shí) 晶 體 切 變 的 側(cè) 視 示 意 圖 。 為 了 清 晰 , 晶 體 的 厚 度 和 切 變 被 放 大 了 。 | 圖 2 . 鉛 欠 電 位 沉 積 的 循 環(huán) 伏 安 圖 和 QCM 圖 。 掃 描 速 度 為 0.05 V/s 。 |
硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位儀 恒電流儀 (Model440C) 電位范圍: -10to10V 電位上升時(shí)間: <2微秒 槽壓: ±12V 三電極或四電極設(shè)置 電流范圍: 250mA 參比電極輸入阻抗: 1´1012歐姆 靈敏度: 1´10-12-0.1A/V共12檔量程 輸入偏置電流: <50pA 電流測(cè)量分辨率: <1pA CV的zui小電位增量: 0.1mV 電位更新速率: 10MHz 數(shù)據(jù)采集: 16位分辨@1MHz 自動(dòng)及手動(dòng)iR降補(bǔ)償 | CV和LSV掃描速度: 0.000001-5000V/s 電位掃描時(shí)電位增量: 0.1mV@1000V/s CA和CC脈沖寬度: 0.0001-1000sec CA和CC階躍次數(shù): 320 DPV和NPV脈沖寬度: 0.0001-10sec SWV頻率: 0.1-100kHz ACV頻率: 0.1-10kHz SHACV頻率: 0.1-5kHz 自動(dòng)電位和電流零位調(diào)整 電流測(cè)量低通濾波器,自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置,覆蓋八個(gè)數(shù)量級(jí)的頻率范圍 旋轉(zhuǎn)電極控制輸出: 0-10V(430C以上型號(hào)) 電解池控制輸出: 通氮,攪拌,敲擊 zui大數(shù)據(jù)長(zhǎng)度: 256K-1,384K點(diǎn)可選 儀器尺寸: 37cm (寬) x 23cm (深) x 12cm (高) 儀器重量: 3.3kg |
CHI400C系列儀器不同型號(hào)的比較
功能 | 400C | 410C | 420C | 430C | 440C |
循環(huán)伏安法(CV) | l | l | l | l | l |
線性掃描伏安法(LSV)# | l | l | l | l | l |
階梯波伏安法(SCV)# | l | l | |||
Tafel圖(TAFEL) | l | l | |||
計(jì)時(shí)電流法(CA) | l | l | l | l | |
計(jì)時(shí)電量法(CC) | l | l | l | l | |
差分脈沖伏安法(DPV)# | l | l | l | l | |
常規(guī)脈沖伏安法(NPV)# | l | l | l | l | |
差分常規(guī)脈沖伏安法(DNPV)# | l | ||||
方波伏安法(SWV)# | l | l | l | ||
交流(含相敏)伏安法(ACV)# | l | l | |||
二次諧波交流(相敏)伏安法(SHACV)# | l | l | |||
電流-時(shí)間曲線(i-t) | l | l | |||
差分脈沖電流檢測(cè)(DPA) | l | ||||
雙差分脈沖電流檢測(cè)(DDPA) | l | ||||
三脈沖電流檢測(cè)(TPA) | l | ||||
控制電位電解庫(kù)侖法(BE) | l | l | l | l | |
流體力學(xué)調(diào)制伏安法(HMV) | l | ||||
掃描-階躍混合方法(SSF) | l | ||||
多電位階躍方法(STEP) | l | ||||
計(jì)時(shí)電位法(CP) | l | ||||
電流掃描計(jì)時(shí)電位法(CPCR) | l | ||||
多電流階躍(ISTEP) | l | ||||
電位溶出分析(PSA) | l | ||||
開路電壓-時(shí)間曲線(OCPT) | l | l | l | l | l |
恒電流儀 | l | ||||
RDE控制(0-10V輸出) | l | l | |||
任意反應(yīng)機(jī)理CV模擬器 | l | l | |||
預(yù)設(shè)反應(yīng)機(jī)理CV模擬器 | l | l | l | ||
價(jià)格(元)* | 32,300 | 32,300 | 41,500 | 50,700 | 57,600 |
注: #:包括相應(yīng)的極譜法和溶出伏安法.用于極譜法時(shí)需要的靜汞電極或敲擊器.
*:價(jià)格不包括計(jì)算機(jī).儀器的保修期為一年.
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電 話:/51666869/
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手 機(jī):/
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