二手現(xiàn)貨 N5182B 矢量信號發(fā)生器

  N5182B MXG X 系列射頻矢量信號發(fā)生器

接受訂購

MXG X 系列高性能射頻矢量信號發(fā)生器精心設(shè)計，可覆蓋 9 kHz 至 6 GHz 的頻率范圍，是研發(fā)中的“標準發(fā)射機”。與 Signal Studio 軟件的實時功能結(jié)合可以提供真實信號仿真。

Agilent N5182B N5182B矢量信號發(fā)生器主要特性與技術(shù)指標
信號特征

9 kHz ～ 3 或 6 GHz
在 3 GHz 時提供 +24 dBm 功率，帶有電子衰減器
1 GHz 和 20 kHz 偏置時，相位噪聲為 -146 dBc
≤-73 dBc ACP W-CDMA 64 DPCH 和 <0.4% EVM 160 MHz 802.11ac
調(diào)制和掃描

AM、FM、ØM 和窄脈沖
10 MHz 多功能發(fā)生器和低頻輸出
數(shù)字步進和列表掃描模式
l/Q 調(diào)制：ASK、FSK、MSK、PSK、QAM 、定制 I/Q
基帶生成和信號生成

160 MHz 內(nèi)置基帶發(fā)生器（+/- 0.2 dB 平坦度）：任意波形和實時 I/Q 信號
1 Gsa 回放存儲器和 30 GB 內(nèi)置或 8 GB 外置移動閃存卡
任意信號和實時信號：LTE、HSPA+、WLAN、GNSS、DVB 等 – 信號生成
使用 N5102A 的數(shù)字 I/O、MIMO 和射頻衰落以及 PXB 基帶發(fā)生器和通道仿真器完成多通道基帶生成
自動和通信接口

1000BaseT LAN、LXI、USB 2.0 和 GPIB
SCPI、IVI-COM、MATLAB 驅(qū)動器
向后兼容 ESG、MXG、PSG 和 8648x 等
Keysight USB 功率探頭可以兼容嵌入式顯示和 SCPI 控制

Agilent N5182B N5182B矢量信號發(fā)生器 描述
MXG 矢量信號發(fā)生器可在以下應(yīng)用和解決方案中使用：

蜂窩通信
用于數(shù)字預(yù)失真的示例配置
無線連通性
航空航天與國防

純凈、精密的 MXG

無論您想要線性射頻鏈路還是經(jīng)過優(yōu)化的鏈路預(yù)算，MXG 都能滿足您的需求：相位噪聲、ACPR、通道編碼等。利用 MXG zui大程度地提升您的器件和設(shè)計性能。

利用優(yōu)異的硬件性能生成您所需的信號

利用的相位噪聲和雜散性能，以測試雷達接收機的靈敏度、表征 ADC 或混頻器信噪比、查找接收機帶外抑制
利用業(yè)界的 ACPR 和輸出功率，驅(qū)動功率放大器并表征非線性特性
- 利用*的、均衡的 160 MHz 射頻帶寬綜合解決方案，以測試寬帶接收機和元器件（例如 802.11ac WLAN）

使用zui復雜的應(yīng)用來測試廣泛的信號

使用 Signal Studio 軟件，支持針對蜂窩通信、無線連通性、視頻和跟蹤/導航應(yīng)用的多種技術(shù)
使用實時功能仿真 LTE、GNSS 和 DVB 等實際信號
充分利用 1 GSa 回放存儲器，使用*的波形執(zhí)行長時間、隨時間變化的接收機功能測試

利用低擁有成本實現(xiàn)資源zui大化

以*代 MXG 的高平均故障間隔時間（MTBF）為基礎(chǔ)，增加正常運行時間
自我維護策略和低成本維修可把停機時間和費用降至zui低

Agilent N5182B N5182B矢量信號發(fā)生器 硬件配置選件表：

N5182B-503 頻率范圍從9 kHz至3 GHz
N5182B-506 頻率范圍從9 kHz到6 GHz
N5182B-UNT AM，F(xiàn)M，相位調(diào)制
N5182B-UNV 增強的動態(tài)范圍（要求帶選件656）
N5182B-UNW 窄脈沖調(diào)制
N5181B-UNX 低相位噪聲 （不兼容UNY，沒有升級）
N5182B-UNY 增強的低相位噪聲（不兼容UNX，沒有升級）
N5182B-UNZ 快速切換
N5182B-320 脈沖序列發(fā)生器（需要帶UNW）
N5182B-303 多功能發(fā)生器
N5182B-1EA 高輸出功率
N5182B-1EQ 低功耗（<-110 dBm的）
N5182B-1ER 靈活的基準輸入（1-50MHz的）
N5182B-656 ARB基帶發(fā)生器（80 MHz的射頻帶寬，32 MSA）
N5182B-657 升級基帶發(fā)生器從80到160 MHz的射頻帶寬
N5182B-022 從32到512 MSA升級基帶發(fā)生器內(nèi)存
N5182B-023 從32到1 GSA升級基帶發(fā)生器內(nèi)存

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