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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>配件耗材>玻璃儀器>成套玻璃>BOROFLOAT®33 肖特BOROFLOAT®33硼硅玻璃

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BOROFLOAT®33 肖特BOROFLOAT®33硼硅玻璃

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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肖特玻璃硅硼玻璃

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 蘇州汶顥微流控技術(shù)股份有限公司(www.whchip.com)是一家留學(xué)人員回國創(chuàng)業(yè)的*企業(yè),集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售為一體,技術(shù)力量雄厚,生產(chǎn)設(shè)備*,檢測(cè)手段齊全,產(chǎn)品質(zhì)量過硬。公司建立了完備的微流控芯片研發(fā)與生產(chǎn)中心,配置了三條微流控芯片生產(chǎn)線,包括數(shù)控CNC微加工儀器,軟刻蝕有機(jī)芯片加工系統(tǒng),光刻-掩模無機(jī)芯片加工系統(tǒng),可以加工生產(chǎn)所有材質(zhì)的芯片,如玻璃、石英、硅、PDMS和PMMA等。產(chǎn)品涵蓋集成式通用醫(yī)療診斷芯片、集成式通用環(huán)境保護(hù)分析監(jiān)測(cè)芯片、集成式通用食品安全分析檢測(cè)芯片和基于微流控芯片的新能源體系四大系列數(shù)十個(gè)品種,以及各類科研類芯片,并在生物芯片和化學(xué)芯片領(lǐng)域一直保持技術(shù)和研發(fā)的主要位,擁有81項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán),其中:已申請(qǐng)發(fā)明65件、實(shí)用新型7件,注冊(cè)商標(biāo)2件,登記軟件著作權(quán)7件。

主營:

微流控芯片:微流控芯片設(shè)計(jì)、加工、封合、標(biāo)準(zhǔn)微流控芯片、客戶定制微流控芯片。

組件/配件:微流控芯片夾具、導(dǎo)管、接頭、基材系列。
耗材:微流控芯片光刻膠、PDMS、封合膠、其他*耗材。
儀器:封合*儀器、流體控制儀器、表面處理儀器、芯片加工儀器、其他儀器。
實(shí)驗(yàn)室組建:根據(jù)客戶要求整體組建微流控芯片實(shí)驗(yàn)室,提供相關(guān)技術(shù)輸出。
項(xiàng)目研發(fā):接受客戶委托開發(fā)功能性微流控芯片,分析檢測(cè)儀器及研究平臺(tái)。
芯片量產(chǎn)服務(wù):提供微流控芯片的小批量原理驗(yàn)證合大批量生產(chǎn)業(yè)務(wù),能夠針對(duì)PDMS、PDMA、PC等工程塑料進(jìn)行批量生產(chǎn)。

微流控芯片,芯片加工,設(shè)備儀器

肖特BOROFLOAT®33硼硅玻璃簡介

肖特BOROFLOAT®33硼硅玻璃是一種高品質(zhì)的硼硅玻璃,具有的特性和廣泛的用途。

它是由肖特耶拿玻璃公司利用微浮法工藝和的技術(shù)生產(chǎn)而成。這種技術(shù)生產(chǎn)出來的硼硅玻璃質(zhì)地均勻,它具有鏡面般的表面、*的表面平整度和良好的光學(xué)性能。

BOROFLOAT®33基本性能:

l *的透光性、極低的熒光強(qiáng)度以及*的紫外線和紅外線透過率

l 極低的膨脹系數(shù)、抗熱沖擊性強(qiáng)以及*工作溫度高達(dá)450℃

l 的化學(xué)穩(wěn)定性,對(duì)水、強(qiáng)酸、強(qiáng)堿以及有機(jī)物質(zhì)的腐蝕有高度耐受性

l 的抗刮花效果、*的硬度以及密度可比普通鈉鈣玻璃低20%

l 極低的含堿量可作為一種優(yōu)良的電絕緣體

 

肖特BOROFLOAT®33硼硅玻璃基本參數(shù):

技術(shù)參數(shù):

密度(25℃)

2.2g/cm2

膨脹系數(shù)(ISO 7991)

3.25´10-6k-1

透光率

91%

軟化點(diǎn)

820℃

短期使用<10h

550℃

*使用≧10h

450℃

折射率(587.6nm)

1.47140

努氏硬度

480

  

BOROFLOAT®33熱學(xué)特性:

熱膨脹系數(shù)低、抗熱沖擊性強(qiáng)、可以長時(shí)間承受450°C高溫的特點(diǎn)使BOROFLOAT® 33特別適合需要良好溫度穩(wěn)定性的應(yīng)用(例如,熱解自潔式烤爐的內(nèi)板、大功率舞臺(tái)燈光和高功率泛光燈的外蓋板)。

線性膨脹系數(shù)

α (20 - 300 °C)

3.25 x 10-6 K-1(ISO 7991)

備注:

熱容

Cp (20 - 100°C)

0.83 KJ x (kg x K)-1

此工作溫度只有在同時(shí)滿足下列的同片溫差性(RTG)和抗熱沖擊性(RTS)數(shù)值時(shí)才適用。

導(dǎo)熱系數(shù)

λ (90°C)

1.2 W x (m x K)-1

工作溫度(*)

δ max (< 10 h)

550°C

工作溫度(短期)

δmax (≥ 10 h)

450°C

 

同片溫差性(一片玻璃承受加熱中心與較冷邊緣溫度差異的性能)

測(cè)試方法:將面積約25×25cm2的玻璃板中心加熱至一定溫度,同時(shí)將其邊緣保持常溫。由于熱應(yīng)力造成的玻璃破裂率應(yīng)該不大于5%。測(cè)試前用SIC 40型粗砂紙打磨玻璃板,以模擬使用中可能出現(xiàn)的表面極度磨損的情況。

 

RTG

1 - 100小時(shí)

90 K

> 100小時(shí)

80 K

 

抗熱沖擊性(玻璃承受溫度驟冷的性能)

測(cè)試方法:將面積約20×20cm2的玻璃板在加熱爐中加熱,然后用50毫升冷水(室溫)潑撒在中心部位使其冷卻。玻璃的破裂率應(yīng)該不大于5%。測(cè)試前用SIC 220型粗砂紙打磨玻璃板,以模擬實(shí)際使用后的表面情況。

 

玻璃厚度

≤ 3.8 mm

175 K

5.0 - 5.5 mm

160 K

6.5 - 15.0 mm

150 K

> 15.0 mm

125 K

 

BOROFLOAT® 33 的粘度

 

工作點(diǎn)

104 dPas

1270 °C

軟化點(diǎn)

10 7.6 dPas

820 °C

退火點(diǎn)

10 13 dPas

560 °C

應(yīng)變點(diǎn)

10 14.5 dPas

518 °C

轉(zhuǎn)變溫度(Tg)

 

525 °C

 

BOROFLOAT®33光學(xué)特性:

BOROFLOAT® 33是一種清澈透明的無色玻璃。在紫外和可見近紅外光范圍內(nèi)出色的透射率使BOROFLOAT® 33成為一種應(yīng)用于多種泛光燈、高功率聚光燈以及日光浴床(工作溫度高達(dá)450℃)的理想材料。 BOROFLOAT® 33玻璃固有的熒光性極低,良好的表面品質(zhì)平整均勻,能廣泛應(yīng)用于光學(xué)、光電子學(xué)、光子學(xué)以及分析設(shè)備等領(lǐng)域。

 

波長 λ(nm)

435.8

479.9

546.1

折射率 n

1.48015

1.47676

1.47311

波長 λ(nm)

589.3

643.8

656.3

折射率 n

1.47133

1.46953

1.46916

阿貝常數(shù)

Ve=(ne-1)/(nF'-nC')

65.41

 

折射率

nd(λ587.6 nm)

1.47140

 

色散

nF-nC

71.4×10-4

 

應(yīng)力光學(xué)系數(shù)

K

4.0×10-6mm2N-1MPa-1

 

 

BOROFLOAT® 33的熒光性

某些材料被高強(qiáng)度的高頻短波激發(fā)后,具有釋放電磁輻射的性能。這種性能被稱為熒光性。它受材料純度和結(jié)構(gòu)特征的影響,同時(shí)也取決于單脈沖能量、脈沖頻率以及輻射的激發(fā)波長。

BOROFLOAT® 33是一種高度透明的玻璃,在可見光波長范圍內(nèi)表現(xiàn)出很弱的熒光性。

 

選定標(biāo)準(zhǔn)激光和波長:

波長(nm)

激光介質(zhì)

波長(nm)

激光介質(zhì)

波長(nm)

激光介質(zhì)

308

XeCI

488

Ar

1047

Nd:YLF

325

HeCd

514.5

Ar

1053

Nd:YLF

337

N2

532

Nd:YAG

1064

Nd:YAG

350

XeF

632.8

HeNe

1153

HeNe

351.1

Ar

694.3

Ruby

1319

Nd:YAG

363.8

Ar

730-780

Alexandrite

1730

Er:YLF

427

N2

850

Er:YLF

2060

Ho:YLF

441.6

HeCd

905

GaAs

10640

CO2

 

BOROFLOAT®33電學(xué)特點(diǎn):

由于含堿量低,BOROFLOAT® 33可以作為一種高絕緣體,因此適合應(yīng)用于高溫(達(dá)450℃)下需要具有良好不導(dǎo)電特性材料的場(chǎng)合。因?yàn)榕鸸璨AУ?結(jié)構(gòu),BOROFLOAT® 33具有中子吸收作用。

 

介電常數(shù)

εr

(25℃,1 MHz)

4.6

漏電常數(shù)

tan δ

(25℃,1 MHz)

37 x 10-4

電阻率對(duì)數(shù)

lg ρ

250℃

8.0 Ω x cm

350℃

6.5 Ω x cm

 

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