X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)
- 公司名稱(chēng) 先鋒科技(香港)股份有限公司
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- 廠商性質(zhì) 代理商
- 更新時(shí)間 2024/11/27 19:19:19
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光譜相關(guān)產(chǎn)品,激光與測(cè)量系統(tǒng),影像采集,光度色度儀器,探測(cè)器產(chǎn)品,氣體傳感器,光學(xué)元件等光電產(chǎn)品
X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)
英國(guó)Sens-Tech 公司是X 射線探測(cè)器和信號(hào)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的專(zhuān)業(yè)開(kāi)發(fā)商、供應(yīng)商,其在X 射線線掃描成像和CT 領(lǐng)域擁有豐富且成功的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)。Sens-Tech 的系統(tǒng)集成信號(hào)探測(cè)、模擬信號(hào)放大、數(shù)字信號(hào)輸出于一體,有多種控制功能可選擇,可方便的與計(jì)算機(jī)連接,實(shí)現(xiàn)圖像或信號(hào)的數(shù)字化處理。
X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)
探測(cè)器有硅光電二管陣列和閃爍晶體組成。二管陣列可以是一維或者兩維掃描方式, 由具體應(yīng)用決定。選擇探測(cè)器需要充分考慮光譜響應(yīng)、電容、暗電流、靈敏度、探測(cè)面積以及串?dāng)_的影響,并選用與閃爍晶體的發(fā)射波段相匹配的探測(cè)器。并盡可能降低暗噪聲,減小偏移量,獲得的響應(yīng)。同時(shí),讓各探測(cè)單元的探測(cè)面積和串?dāng)_達(dá)到*化。
閃爍晶體根據(jù)探測(cè)能量的不同,厚度和尺寸可以根據(jù)用戶(hù)的要求進(jìn)行定制。
Sens-Tech 公司目前主要提供四種X 射線數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品:XDAS-V3 系列、XDAS-HE 系列、LINX 系列
Sens-Tech 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的參數(shù)
材料 | 厚度 | 能量范圍 | 每單位能量的信號(hào)輸出 | 信號(hào)衰減時(shí)間 | 備注 |
Silicon | 300μm | 5-30keV | zui高,直接轉(zhuǎn)化 | 1us (非偏置) | 光電二管直接探測(cè),不使用閃爍晶體 |
Gadox(Tb) | 0.31mm | 20-100keV | 近似CsI | 2-3ms | 熒光條,無(wú)法進(jìn)行像素分割來(lái)防止串?dāng)_ |
Gadox A | 0.2mm | 低于Gadox(Tb)20% | <1ms |
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Gadox B | 0.4mm | 高于Gadox(Tb)10% | <1ms |
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CsI(Tl) | 0.4-4mm | 40-160keV | 光轉(zhuǎn)換效率zui高 | 2個(gè)不同的衰減時(shí)間, 微妙級(jí) | 像素被分割成陣列,以減少串?dāng)_ |
CdWO4 | 2.5-30mm | 150keV-9MeV | 約為CsI的25% | 20us | 像素被分割成陣列,以減少串?dāng)_,價(jià)格昂貴 |
GOS | 2.9mm | 100-200keV | 20% than CdWO4 | 3us | 抗強(qiáng)輻射 |