系統(tǒng)概述

基礎(chǔ)配置

IPM，即智能功率模塊，是*的混合集成功率器件。一般使用IGBT作為功率開關(guān)元件，內(nèi)部集成電流傳感器及驅(qū)動電路的集成結(jié)構(gòu)。

IPM模塊需要測試的特性參數(shù)很多，其中關(guān)鍵的測試參數(shù)為開關(guān)特性（時間特性）的測量。該系統(tǒng)在解決IPM的控制信號以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個關(guān)鍵技術(shù)的條件下，是一套基于DSP及FPGA的高速實時測試系統(tǒng)。

電壓

電流

標(biāo)配

選配

標(biāo)配

選配

1200V

1000V

200A

200A

2200V

400A

3300V

600A

4500V

1000A

6000V

2000A

配置/短路測試

電壓

電流

短路測試

標(biāo)配

選配

標(biāo)配

選配

項目

范圍

誤差

分辨率

1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V～1200V

±3%

10V

3300V

600A

測試電流

10A～75A

±3%

1A

4500V

1000A

短路電流

100A～500A

±3%

1A

6000V

2000A

短路時間

1 uS～10uS

可調(diào)

可調(diào)

測試功能

測試范圍

測試參數(shù)

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

參數(shù) / 精度

靜態(tài)參數(shù)

動態(tài)參數(shù)

上橋IGBT/FRD漏電流測試(I_ces-H)

上

橋

開

關(guān)

參

數(shù)

集電極電壓Vce：

100～1200V，

誤差±3%,分辨率10V

上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H)

上橋驅(qū)動IC低端靜態(tài)電流測試(IDH)

集電極電流Ice：

10～75A，

誤差±3%,分辨率1A

上橋驅(qū)動IC靜態(tài)工作電流測試

（Iqbs-U,V,W）

VD=VBS=15V,           

誤差±3%,分辨率0.1V

上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測電平 （UVbsd-U V W）

VIN=0～5V             

誤差±3%,分辨率0.1V   

上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVbsr-U V W）

ton-L : 10～500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

上橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓測試

（Vth（on）-UH VH WH）

tc（on）-L :5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS    

toff-L: 50～500ｎS,   

誤差±3%,分辨率1nS

上橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓測試

（Vth（off）-UH VH WH）

tc(off)-L: 5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS     

Trr-L :10～500ｎS,    

誤差±3%,分辨率1nS

上橋IGBT飽和電壓測試（Vce(sat)-UH VH WH）

Eon-L :0.1～10ｍＪ,   

誤差±3%,分辨率0.1mJ  

上橋FRD正向壓降測試（VF-(UH VH WH)

Eoff-L： 0.1～10ｍＪ  

誤差±3%,分辨率0.1mJ

下橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-L)

下

橋

開

關(guān)

參

數(shù)

集電極電壓Vce：

100～1200V，

誤差±3%,分辨率10V

下橋驅(qū)動IC靜態(tài)工作電流測試（IDL）

故障輸出電壓測試（Vfoh Vfol）

集電極電流Ice：

10～75A，

誤差±3%,分辨率1A

過流保護(hù)閾值電壓測試（Vcin（ref））

下橋欠壓保護(hù)監(jiān)測電平（UVdd）

VD=VBS=15V,           

誤差±3%,分辨率0.1V

下橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平（UVdr）

VIN=0～5V             

誤差±3%,分辨率0.1V   

下橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓

（Vth（on）-UL VL WL）

ton-L : 10～500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

tc（on）-L :5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS    

下橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓

（Vth（off）-UL VL WL）

toff-L: 50～500ｎS,   

誤差±3%,分辨率1nS

tc(off)-L: 5～200ｎS,

誤差±3%,分辨率1nS     

下橋IGBT飽和電壓測試（Vce(sat)-UL VL WL）

Trr-L :10～500ｎS,    

誤差±3%,分辨率1nS

下橋FRD正向壓降測試（VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1～10ｍＪ,   

誤差±3%,分辨率0.1mJ  

Eoff-L： 0.1～10ｍＪ  

誤差±3%,分辨率0.1mJ