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ENI1220 日本科佩爾 替代 易恩IPM測試儀

參考價 190
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 西安易恩電氣科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 ENI1220
  • 產(chǎn)地 陜西西安
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2018/7/21 9:44:45
  • 訪問次數(shù) 475

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    西安易恩電氣坐落于西安渭北工業(yè)裝備區(qū),是陜西省政府重點支持的*。公司專注于研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體封裝、測試設(shè)備?,F(xiàn)已成為國內(nèi)電力電子行業(yè)的測試方案供應(yīng)商。公司以自主研發(fā)生產(chǎn)的“軌道機(jī)車半導(dǎo)體測試系統(tǒng)”系列產(chǎn)品為主導(dǎo),在此基礎(chǔ)上相繼推出全自動大功率IGBT參數(shù)測試系統(tǒng),分立器件綜合測試儀,功率器件圖示系統(tǒng),晶體管圖示儀,MOS動靜態(tài)測試測試儀,晶閘管測試儀,雪崩、浪涌、高溫阻斷、高溫反偏、柵電荷測試系統(tǒng)等系列產(chǎn)品。廣泛應(yīng)用于科研院所、能源、電力電子、交通、船舶制造、高校等諸多領(lǐng)域。

    完善的基礎(chǔ)設(shè)施和優(yōu)秀的人才隊伍一直是企業(yè)強(qiáng)化建設(shè)的重點。公司設(shè)有測試實驗室,調(diào)試中心,產(chǎn)品研發(fā)中心,服務(wù)團(tuán)隊等多個技研服務(wù)部門,以滿足不同客戶對測試解決方案的多層次需求。公司研發(fā)人員占總?cè)藬?shù)的70%,碩士學(xué)歷以上人員占75%,專業(yè)技術(shù)人員占比超過66%,成員大多來自航天、航空、半導(dǎo)體及微電子相關(guān)研究院所及電力電子行業(yè)內(nèi)的*人士。公司通過了質(zhì)量體系*及陜西省軟件企業(yè)認(rèn)定,承擔(dān)國家*創(chuàng)新基金項目等。

   “專業(yè)專注,全心服務(wù)”是公司健康發(fā)展之基礎(chǔ)。面向未來,易恩將充分發(fā)揮自身的技術(shù)創(chuàng)新和服務(wù)優(yōu)勢。

IGBT動靜態(tài)測試系統(tǒng),晶體管圖示儀?,?IPM測試系統(tǒng),功率循環(huán)?/?熱阻

ENI1220 IPM 測試系統(tǒng)

日本科佩爾 替代 易恩IPM測試儀 

 

 

系統(tǒng)概述

 

基礎(chǔ)配置

 

IPM,即智能功率模塊,是*的混合集成功率器件。一般使用IGBT作為功率開關(guān)元件,內(nèi)部集成電流傳感器及驅(qū)動電路的集成結(jié)構(gòu)。

IPM模塊需要測試的特性參數(shù)很多,其中關(guān)鍵的測試參數(shù)為開關(guān)特性(時間特性)的測量。該系統(tǒng)在解決IPM的控制信號以及高速數(shù)據(jù)采集處理兩個關(guān)鍵技術(shù)的條件下,是一套基于DSP及FPGA的高速實時測試系統(tǒng)。

 

電壓

電流

 

 

標(biāo)配

選配

標(biāo)配

選配

 

 

1200V

1000V

200A

200A

 

 

2200V

400A

 

 

3300V

600A

 

 

4500V

1000A

 

 

6000V

2000A

 

配置/短路測試

 

電壓

電流

短路測試

 

標(biāo)配

選配

標(biāo)配

選配

項目

范圍

誤差

分辨率

 

1200V

2200V

200A

400A

VPN

100V~1200V

±3%

10V

 

3300V

600A

測試電流

10A~75A

±3%

1A

 

4500V

1000A

短路電流

100A~500A

±3%

1A

 

6000V

2000A

短路時間

1 uS~10uS

可調(diào)

可調(diào)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

測試功能

 

測試范圍

測試參數(shù)

 

IPM

BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VEC, VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

 

IGBT

ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

 

DIODE

VF-Temp, Temp, VF revision

 

 

 

 

參數(shù) / 精度

 

靜態(tài)參數(shù)

 

動態(tài)參數(shù)

 

上橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-H)

關(guān)

數(shù)

集電極電壓Vce:

100~1200V,

誤差±3%,分辨率10V

 

上橋IGBT/FRD耐壓測試(Bvce-H)

 

上橋驅(qū)動IC低端靜態(tài)電流測試(IDH)

集電極電流Ice:

10~75A,

誤差±3%,分辨率1A

 

上橋驅(qū)動IC靜態(tài)工作電流測試

(Iqbs-U,V,W)

 

VD=VBS=15V,           

誤差±3%,分辨率0.1V

 

上橋欠壓保護(hù)監(jiān)測電平 (UVbsd-U V W)

VIN=0~5V             

誤差±3%,分辨率0.1V   

上橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平(UVbsr-U V W)

ton-L : 10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

上橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓測試

(Vth(on)-UH VH WH)

tc(on)-L :5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS    

 

toff-L: 50~500nS,   

誤差±3%,分辨率1nS

 

上橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓測試

(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS     

 

Trr-L :10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

上橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ,   

誤差±3%,分辨率0.1mJ  

 

上橋FRD正向壓降測試(VF-(UH VH WH)

Eoff-L: 0.1~10mJ  

誤差±3%,分辨率0.1mJ

 

下橋IGBT/FRD漏電流測試(Ices-L)

關(guān)

數(shù)

集電極電壓Vce:

100~1200V,

誤差±3%,分辨率10V

 

下橋驅(qū)動IC靜態(tài)工作電流測試(IDL)

 

故障輸出電壓測試(Vfoh Vfol)

集電極電流Ice:

10~75A,

誤差±3%,分辨率1A

 

過流保護(hù)閾值電壓測試(Vcin(ref))

 

下橋欠壓保護(hù)監(jiān)測電平(UVdd)

VD=VBS=15V,           

誤差±3%,分辨率0.1V

 

下橋欠壓保護(hù)復(fù)位電平(UVdr)

VIN=0~5V             

誤差±3%,分辨率0.1V   

 

下橋驅(qū)動IC導(dǎo)通閾值電壓

(Vth(on)-UL VL WL)

ton-L : 10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

tc(on)-L :5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS    

 

下橋驅(qū)動IC關(guān)斷閾值電壓

(Vth(off)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS,   

誤差±3%,分辨率1nS

 

tc(off)-L: 5~200nS,

誤差±3%,分辨率1nS     

 

下橋IGBT飽和電壓測試(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS,    

誤差±3%,分辨率1nS

 

下橋FRD正向壓降測試(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ,   

誤差±3%,分辨率0.1mJ  

 

 

 

Eoff-L: 0.1~10mJ  

誤差±3%,分辨率0.1mJ



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