DT1-1*220V/C 電壓監(jiān)測(cè)儀報(bào)價(jià)

電壓監(jiān)測(cè)儀報(bào)價(jià)電壓監(jiān)測(cè)儀報(bào)價(jià)型號(hào):DT1-1*220V/C庫(kù)號(hào)：M400631

CPU：采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器，工作在12MHz主頻下，工作的CPU確保儀表多可以同時(shí)監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)三路電網(wǎng)電壓質(zhì)量。
RAM：采用NV-SRAM 內(nèi)置高能鋰電池，斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年；采用鐵電存儲(chǔ)器（FRAM），具有寫入、超低功耗、斷電長(zhǎng)久保存數(shù)據(jù)等特性。
時(shí)鐘芯片：DS12C887 內(nèi)置高能鋰電池，斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年。
采樣電路：采用高性能的美國(guó)AD公司單片真有效值轉(zhuǎn)換電路。
工作電源：AC220V，與第1路信號(hào)電壓并接。
電源功耗：≤3VA。
信號(hào)輸入回路功耗:≤0.6VA。
時(shí)鐘誤差：≤±1s/24h。
外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安裝開孔尺寸：150+1×70+1mm。

CPU：采用Inter公司的80C196KC(KB)單片十六位微處理器，工作在12MHz主頻下，工作的CPU確保儀表多可以同時(shí)監(jiān)測(cè)統(tǒng)計(jì)三路電網(wǎng)電壓質(zhì)量。
RAM：采用NV-SRAM 內(nèi)置高能鋰電池，斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年；采用鐵電存儲(chǔ)器（FRAM），具有寫入、超低功耗、斷電長(zhǎng)久保存數(shù)據(jù)等特性。
時(shí)鐘芯片：DS12C887 內(nèi)置高能鋰電池，斷電數(shù)據(jù)保護(hù)十年。
采樣電路：采用高性能的美國(guó)AD公司單片真有效值轉(zhuǎn)換電路。
工作電源：AC220V，與第1路信號(hào)電壓并接。
電源功耗：≤3VA。
信號(hào)輸入回路功耗:≤0.6VA。
時(shí)鐘誤差：≤±1s/24h。
外型尺寸：（l×b×h）160×236×80mm；安裝開孔尺寸：150+1×70+1mm。