透射電鏡液體光學(xué)原位系統(tǒng)

透射電鏡液體光學(xué)原位系統(tǒng)采用MEMS微加工工藝在原位樣品臺(tái)內(nèi)構(gòu)建液氛納米實(shí)驗(yàn)室，通過樣品臺(tái)內(nèi)置的光纖將光作為外場條件搭載其上，通過MEMS芯片和光纖引入的光源對(duì)樣品施加光場刺激條件，在 進(jìn) 行 光 學(xué) 性 質(zhì) 測(cè) 量 的 同 時(shí)，結(jié) 合 使 用 E D S、E E LS、S A E D、HRTEM、STEM等多種不同模式，實(shí)現(xiàn)從納米甚至原子層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)樣品在液氛環(huán)境中隨光場變化產(chǎn)生的微觀結(jié)構(gòu)演化、反應(yīng)動(dòng)力學(xué)、相變、元素價(jià)態(tài)、化學(xué)變化、微觀應(yīng)力以及表/界面處的原子級(jí)結(jié)構(gòu)和成分演化等關(guān)鍵信息。

我們的優(yōu)勢(shì)

業(yè)界最高分辨率

1．MEMS加工工藝，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜厚度最薄可達(dá)10 nm。

2．芯片封裝采用鍵合內(nèi)封以及環(huán)氧樹脂外封雙保險(xiǎn)方式，使芯片間的夾層最薄僅約100~200nm，超薄夾層大幅減少對(duì)電子束的干擾，可清晰觀察樣品的原子排列情況，液相環(huán)境可實(shí)現(xiàn)原子級(jí)分辨。

3．經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)的芯片視窗形狀，可避免氮化硅膜鼓起導(dǎo)致液層增厚而影響分辨率。

高安全性

1．市面常見的其他品牌液體樣品桿，由于受自身液體池芯片設(shè)計(jì)方案制約，只能通過液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺(tái)及芯片外圍區(qū)域，有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴(kuò)散效應(yīng)進(jìn)入芯片中間的納米孔道，芯片觀察窗里并無真實(shí)流量流速控制。

2．采用納流控zhuanli技術(shù)，通過壓電微控系統(tǒng)進(jìn)行流體微分控制，實(shí)現(xiàn)納升級(jí)微量流體輸送，原位納流控系統(tǒng)及樣品桿中冗余的液體量僅有微升級(jí)別，有效保證電鏡安全。

3．采用高分子膜面接觸密封技術(shù)，相比于o圈密封，增大了密封接觸面積，有效減小滲漏風(fēng)險(xiǎn)。

4．采用超高溫鍍膜技術(shù)，芯片視窗區(qū)域的氮化硅膜具有耐高溫低應(yīng)力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。

多場耦合技術(shù)

可在液相環(huán)境中實(shí)現(xiàn)光、電、熱、流體多場耦合

優(yōu)異的光學(xué)性能

1．一體式激光光源，集成紫外-可見-紅外不同波段并輸出特定波長激光，光信號(hào)強(qiáng)（最大強(qiáng)度不低于150mW/cm2），可快速連續(xù)調(diào)節(jié)光源強(qiáng)度，響應(yīng)時(shí)間短（毫秒級(jí)）。

2．特殊結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，超低光損耗，能量穩(wěn)定均勻。

智能化軟件和自動(dòng)化設(shè)備

1．人機(jī)分離，軟件遠(yuǎn)程控制實(shí)驗(yàn)條件，全程自動(dòng)記錄實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)數(shù)據(jù)，便于總結(jié)與回顧。

2.全流程配備精密自動(dòng)化設(shè)備，協(xié)助人工操作，提高實(shí)驗(yàn)效率。

團(tuán)隊(duì)優(yōu)勢(shì)

1．團(tuán)隊(duì)帶頭人在原位液相TEM發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

2．獨(dú)立設(shè)計(jì)原位芯片，掌握芯片核心工藝，擁有多項(xiàng)芯片zhuanli。

3．團(tuán)隊(duì)20余人從事原位液相TEM研究，可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗(yàn)技術(shù)支持。

技術(shù)參數(shù)

應(yīng)用案例