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TCN-2ω 納米薄膜熱導(dǎo)率測試系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準

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  • 我們是誰

    美國Quantum Design公司是科學(xué)儀器制造商,其研發(fā)生產(chǎn)的系列磁學(xué)測量系統(tǒng)及綜合物性測量系統(tǒng)已成為業(yè)內(nèi)進的測量平臺,廣泛分布于全球材料、物理、化學(xué)、納米等研究域的科研實驗室。Quantum量子科學(xué)儀器貿(mào)易(北京)有限公司(暨Quantum Design中國子公司) 成立于2004年,是美國Quantum Design公司設(shè)立的諸多子公司之,在全權(quán)負責(zé)美國Quantum Design公司本部產(chǎn)品在中國的銷售及售后技術(shù)支持的同時,還致力于和范圍內(nèi)物理、化學(xué)、生物域的科學(xué)儀器制造商進行密切合作,幫助中國市場引進更多全球范圍內(nèi)的質(zhì)設(shè)備和技術(shù),助力中國科學(xué)家的項目研究和發(fā)展。

  • 我們的理念

    Quantum Design中國的長期目標(biāo)是成為中國與進行進技術(shù)、進儀器交流的重要橋頭堡。助力中國科技發(fā)展的十幾年中,Quantum Design中國時刻保持著積進取、不忘初心、精益求精的態(tài)度,為中國科學(xué)家提供更質(zhì)的科學(xué)和技術(shù)支持。隨著中國科學(xué)在舞臺變得愈加舉足輕重,Quantum Design中國將繼續(xù)秉承“For Scientist, By Scientist”的理念,助力中國科技蓬勃發(fā)展,助力中國科技在騰飛!

  • 我們的團隊

    Quantum Design中國擁有支具備強大技術(shù)背景、職業(yè)化工作作風(fēng)的團隊,并致力于培養(yǎng)并引進更多博士業(yè)技術(shù)人才。目前公司業(yè)務(wù)團隊高學(xué)歷業(yè)碩博人才已占比超過70%以上,高水平人才的不斷加入和日益密切的團隊配合幫助QD中國實現(xiàn)連續(xù)幾年銷售業(yè)績的持續(xù)增長

  • 我們的服務(wù)


  • Quantum Design中國擁有完善的本地化售前、售中和售后服務(wù)體系。國內(nèi)本地設(shè)有價值超過50萬美元的備件庫,用于加速售后服務(wù)響應(yīng)速度;同時設(shè)有超過300萬美元的樣機實驗室,支持客戶對設(shè)備進行進步體驗和深度了解。 “不僅提供超的產(chǎn)品,還提供超的售后服務(wù)”這將是Quantum Design中國區(qū)別于其他科研儀器供應(yīng)商的重要征,也正成為越來越多科學(xué)工作者選擇Quantum Design中國的重要原因。




PPMS,MPMS,低溫磁學(xué),表面成像,樣品制備,生命科學(xué)儀器

產(chǎn)地類別 進口 價格區(qū)間 面議
儀器種類 熱線法 應(yīng)用領(lǐng)域 石油,電子,交通,冶金,綜合

納米薄膜熱導(dǎo)率測試系統(tǒng)-TCN-2ω

薄膜材料的熱導(dǎo)率評價將變得為簡便

 

    日本Advance Riko公司推出的納米薄膜熱導(dǎo)率測試系統(tǒng)是使用2ω方法測量納米薄膜厚度方向熱導(dǎo)率的商用系統(tǒng)。與其他方法相比,樣品制備和測量為簡單。

點:

1. 在納米尺度衡量薄膜的熱導(dǎo)率

開發(fā)出監(jiān)測周期加熱過程中熱反射帶來的金屬薄膜表面溫度變化的方法。從而通過厚度方向上的維熱導(dǎo)模型計算出樣品表面的溫度變化,為簡便的衡量厚度方向上熱導(dǎo)率。(日本li:5426115)

2. 樣品制備簡單

不需要光刻技術(shù)即可將金屬薄膜(1.7mm×15mm×100nm)沉積在薄膜樣品上。

 

應(yīng)用方向

1. 熱設(shè)計用薄膜熱導(dǎo)率評價的選擇。

low-k薄膜,有機薄膜,熱電材料薄膜

2. 可用于評價熱電轉(zhuǎn)換薄膜

 

測量原理

當(dāng)    使用頻率為f的電流周期加熱金屬薄膜時,熱流的頻率將為電流頻率的2倍(2f)。如果樣品由金屬薄膜(0)-樣品薄膜(1)-基體(s)組成(如圖),可由維熱導(dǎo)模型計算出金屬薄膜上表面的溫度變化T(0)。

 

假設(shè)熱量全部傳導(dǎo)到基體,則T(0)可由下式計算:

(λ/Wm-1K-1,C/JK-1m-3,q/Wm-3,d/m,ω(=2πf)/s-1

 

式中實部(同相振幅)包含樣品薄膜的信息。如熱量全部傳導(dǎo)到基體,則同相振幅正比于(2 ω)0.5,薄膜的熱導(dǎo)率(λ1)可由下式給出:

(m:斜率,n:截距)

 

設(shè)備參數(shù)

1. 測試溫度:室溫

2. 樣品尺寸:長10~20mm,寬10mm

                      厚0.3~1mm(含基體)

3. 基體材料:Si(推薦)

                      Ge,Al2O3(高熱導(dǎo)率)

4. 樣品制備:樣品薄膜上需沉積金屬薄膜(100nm)

                     (推薦:金)

5. 薄膜熱導(dǎo)率測量范圍:0.1~10W/mK

6. 測試氛圍:大氣

 

 

設(shè)備概念圖

樣品準備

測試數(shù)據(jù)

Si基底上的SiO2薄膜(20-100nm)測量結(jié)果

d1 / nm       19.9      51.0      96.8   
λ1/ W m-1 K-1       0.82      1.03      1.20   

 

發(fā)表文章

1. K. Mitarai et al. / J. Appl. Phys. 128, 015102 (2020) 

2. M. Yoshiizumi et al. / Trans. Mat. Res. Soc. Japan 38[4] 555-559 (2013)



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