FSM128、FSM413 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備和厚度測量設(shè)備

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FSM薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備和厚度測量設(shè)備

 用于測量薄膜應(yīng)力，基地翹曲，襯底翹曲，膜層厚度測量

產(chǎn)品名稱：FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備

產(chǎn)品型號：FSM 128， 500TC, 900TC

1. 簡單介紹

FSM 128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備:美國Frontier Semiconductor(FSM)成立于1988年，總部位于圣何塞，多年來為半導(dǎo)體行業(yè)等高新行業(yè)提供各式精密的測量設(shè)備，客戶遍布*, 主要產(chǎn)品包括:光學(xué)測量設(shè)備: 三維輪廓儀、拉曼光譜、 薄膜應(yīng)力測量設(shè)備、 紅外干涉厚度測量設(shè)備、電學(xué)測量設(shè)備:高溫四探針測量設(shè)備、非接觸式片電阻及 漏電流測量設(shè)備、金屬污染分析、等效氧化層厚度分析 (EOT)

2.產(chǎn)品簡介：

FSM128 薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備

在襯底鍍上不同的薄膜后, 因為兩者材質(zhì)不一樣，以及不同的材料不同溫度下特性不一樣, 所以會引起應(yīng)力。 如應(yīng)力太大會引起薄膜脫落, zui終引致組件失效或可靠性不佳的問題。 薄膜應(yīng)力激光測量儀利用激光測量樣本的形貌,透過比較鍍膜前后襯底曲率半徑的變化, 以Stoney’s Equation計算出應(yīng)力, 是品檢及改進(jìn)工藝的有效手段。

1. 快速、非接觸式測量
2. 128型號適用于3至8寸晶圓

128L型號適用于12寸晶圓

128G 型號適用于470 X 370mm樣品，

另可按要求訂做不同尺寸的樣品臺 

1. 雙激光自動轉(zhuǎn)換技術(shù)

如某一波長激光在樣本反射度不足，系統(tǒng)會自動使用

另一波長激光進(jìn)行掃瞄，滿足不同材料的應(yīng)用

1. 全自動平臺，可以進(jìn)行2D及3D掃瞄（可選)
2. 可加入更多功能滿足研發(fā)的需求

電介質(zhì)厚度測量

光致發(fā)光激振光譜分析

（III-V族的缺陷研究）

1. 500 及 900°C高溫型號可選
2. 樣品上有圖案亦適用

3.規(guī)格:

1. 測量方式: 非接觸式(激光掃瞄)
2. 樣本尺寸: 

FSM 128NT: 75 mm to 200 mm

FSM 128L: 150 mm/ 200 mm/ 300mm

FSM 128G: zui大550×650 mm

1. 掃瞄方式: 高精度單次掃瞄、2D/ 3D掃瞄(可選)
2. 激光強(qiáng)度: 根據(jù)樣本反射度自動調(diào)節(jié)
3. 激光波長:  650nm及780nm自動切換(其它波長可選)
4. 薄膜應(yīng)力范圍: 1 MPa — 4 GPa

(硅片翹曲或彎曲度變化大于1 micron)

1. 重復(fù)性: 1% (1 sigma)*
2. 準(zhǔn)確度: ≤ 2.5%

使用20米半徑球面鏡

1. 設(shè)備尺寸及重量:

FSM 128: 14″(W)×22″(L)×15″(H)/ 50 lbs

FSM128L:14″(W)×26″(L)×15″/ 70 lbs

FSM128G:37″(W)×48″(D)×19″(H)/ 200 lbs

電源 : 110V/220V, 20A

FSM413 紅外干涉測量設(shè)備

如果您對該產(chǎn)品感興趣的話，可以給我留言！

產(chǎn)品名稱：FSM 413 紅外干涉測量設(shè)備

產(chǎn)品型號：FSM 413EC, FSM 413MOT，F(xiàn)SM 413SA DP FSM 413C2C, FSM 8108 VITE C2C

1、產(chǎn)品簡介：

FSM 413 紅外干涉測量設(shè)備

1. 紅外干涉測量技術(shù), 非接觸式測量
2. 適用于所有可讓紅外線通過的材料

硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、碳化硅、玻璃、石  英、聚合物…

2、應(yīng)用薄膜應(yīng)力及基底翹曲測試設(shè)備和厚度測量設(shè)備：

    襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)

    平整度

    厚度變化 (TTV)

    溝槽深度

    過孔尺寸、深度、側(cè)壁角度

    粗糙度

    薄膜厚度

    環(huán)氧樹脂厚度

    襯底翹曲度

    晶圓凸點高度(bump height)

    MEMS 薄膜測量

    TSV 深度、側(cè)壁角度…

1. 規(guī)格:

1. 測量方式: 紅外干涉(非接觸式)
2. 樣本尺寸:  50、75、100、200、300 mm， 也可以訂做客戶需要的產(chǎn)品尺寸
3. 測量厚度: 15 — 780 μm (單探頭)

          3 mm (雙探頭總厚度測量)

1. 掃瞄方式: 半自動及全自動型號,

         另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

1. 襯底厚度測量: TTV、平均值、*小值、*大值、公差。。。
2. 粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)
3. 重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*

       0.8 μm (1 sigma)雙探頭*

1. 分辨率: 10 nm
2. 設(shè)備尺寸:

413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)

413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 

1. 重量: 500 lbs
2. 電源 : 110V/220VAC     
3. 真空: 100 mm Hg
4. 樣本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS)