4H-N/SI或者6H-N/Si 碳化硅SIN籽晶晶種長(zhǎng)晶襯底晶片半導(dǎo)體用

產(chǎn)品介紹:

       SiC的物理和電學(xué)屬性使其成為短波長(zhǎng)光電、高溫、耐輻射、高功率/高頻率電子器件的*選半導(dǎo)體材料。然而生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的SiC單晶非常困難，其中*一要素就取決于SiC晶種的品質(zhì)。晶種的類型、表面性質(zhì)和吸附變化*地影響著SiC晶體的生長(zhǎng)類型、缺陷結(jié)構(gòu)以及電學(xué)性質(zhì)等等。

       合能陽(yáng)光提供的SiC晶種，可充分滿足不同需求的客戶，優(yōu)質(zhì)的晶種品質(zhì)為客戶SiC長(zhǎng)晶的成品率與晶片質(zhì)量提供了可靠的保障。

標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)參數(shù)：

型號(hào)：4H-N/Si  6H-N/Si

等級(jí)：工業(yè)級(jí)   研究級(jí)

 直徑：2寸  4寸  6寸

 厚度：330 μm±25μm   500μm±25μm  

 晶片方向：Off axis : 4.0° toward<1120> ±0.5° for 4H-N  On axis : <0001>±0.5° for 4H-Si

微管密度： ≤ 5 cm -2

電阻率范圍：0.0015-0.1Ω·cm

主定位邊方向：{10-10}±5.0°

次定位邊方向：Silicon face up: 90° CW. from Prime flat ±5.0°

邊緣去除：2mm

局部厚度變化/彎曲度/翹曲度：≤ 4μm/ ≤ 10μm / ≤ 25μm / ≤ 35μm

表面粗糙度 ：拋光Ra ≤ 1 nm  清洗 Ra ≤ 0.5 nm

裂紋（強(qiáng)光觀測(cè)）：無(wú)       

六方空洞（強(qiáng)光燈觀測(cè)）：面積 ≤ 0.05%

多型(強(qiáng)光燈觀測(cè))：無(wú)

目測(cè)包裹物（日光燈觀測(cè)）：面積 ≤ 0.05%

劃痕(強(qiáng)光燈觀測(cè))： 無(wú)

崩邊：無(wú)

表面污染物（強(qiáng)光燈觀測(cè)）：無(wú)

包裝：真空盒裝                  

典型客戶:

美國(guó)，歐洲，亞洲及國(guó)內(nèi)SiC晶體生產(chǎn)和襯底企業(yè)。