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CRESTEC 超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) CRESTEC
  • 產(chǎn)地 日本
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/9/25 15:00:55
  • 訪問(wèn)次數(shù) 1484

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公司自成立以來(lái)就一直專注于半導(dǎo)體、微組裝和電子裝配等領(lǐng)域的設(shè)備集成和技術(shù)服務(wù);目前公司擁有一支在半導(dǎo)體制造、微組裝及電子裝配等領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),專業(yè)服務(wù)于混合電路、光電模塊、MEMS、先進(jìn)封裝(TSV、Fan-out等)、化合物半導(dǎo)體、微波器件、功率器件、紅外探測(cè)、聲波器件、集成電路、分立器件、微納等領(lǐng)域。我們不僅能為客戶提供整套性能可靠的設(shè)備,還能根據(jù)客戶的實(shí)際生產(chǎn)需求制訂可行的工藝技術(shù)方案。
目前亞科電子已與眾多微電子封裝和半導(dǎo)體制造設(shè)備企業(yè)建立了良好的合作關(guān)系(如:BRUKER、EVG、TRYMAX、CAMTEK、CENTROTHERM、SENTECH、ENGIS、ADT、SONOSCAN、ASYMTEK、MARCH、PANASONIC、HYBOND、OKI、KEKO等),為向客戶提供先進(jìn)的設(shè)備和專業(yè)的技術(shù)服務(wù)打下了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

 

半導(dǎo)體設(shè)備,微組裝設(shè)備,LTCC設(shè)備,化工檢測(cè)設(shè)備

應(yīng)用領(lǐng)域 電子,航天,電氣

CRESTEC CABL 系列采用專業(yè)的恒溫控制系統(tǒng),使得整個(gè)主系統(tǒng)的溫度保持恒定,再加上主系統(tǒng)內(nèi)部精密傳感裝置,使得電子束電流穩(wěn)定性,電子束定位穩(wěn)定性,電子束電流分布均一性都得到了大的提高,其性能指標(biāo)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其它廠家的同類產(chǎn)品,在長(zhǎng)達(dá) 5 小時(shí)的時(shí)間內(nèi),電子束電流和電子束定位非常穩(wěn)定,電子束電流分布也非常均一。

 

 

由于 EBL 刻寫精度很高,因此寫滿整個(gè) Wafer 需要比較長(zhǎng)的時(shí)間,因此電子束電流,電子束定位, 電子束電流分布均一性在長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)的穩(wěn)定性就顯得尤為重要,這對(duì)大范圍內(nèi)的圖形制備非常關(guān)鍵。

 

CRESTEC CABL 系列采用其*的技術(shù)使其具有*的電子束穩(wěn)定性以及電子束定位精度,在大范圍內(nèi)可以實(shí)現(xiàn)圖形的高精度拼接和套刻。

 

 

Stitching accuracy

50nm (500μm sq., μ+ 3σ)

 

20nm (50μm sq., μ+ 2σ)

 

Overlay accuracy

50nm (500μm sq., μ+ 3σ)

 

20nm (50μm sq., μ+ 2σ)

 

 
 

Stitching accuracy for slant L&S 10nm

 

該圖是在 2 英寸 wafer 上,采用 50 um 的圖案進(jìn)行拼接,寫滿整個(gè)片子,其拼接精度低于 10 nm.實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù))。

CRESTEC CABL 系列還可以加工制備 10 nm 以下的線條,無(wú)論半導(dǎo)體行業(yè)還是在其它領(lǐng)域

CRESTEC 的電子束光刻產(chǎn)品都發(fā)揮了巨大的作用。

 

主要特點(diǎn):

1.采用高亮度和高穩(wěn)定性的 TFE 電子槍

2.出色的電子束偏轉(zhuǎn)控制技術(shù)                                      3.采用場(chǎng)尺寸調(diào)制技術(shù),電子束定位分辨率(address size)可達(dá) 0.0012nm

4.采用軸對(duì)稱圖形書(shū)寫技術(shù),圖形偏角分辨率可達(dá) 0.01mrad

5.應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,如微納器件加工,Si/GaAs 兼容工藝,研究用掩膜制造,納米加工(例如單電子器件、量子器件制作等),高頻電子器件中的混合光刻(Mix & Match),圖形線寬和圖形位移測(cè)量等。

 

 

 

超高分辨率的電子束光刻 CABL-UH 系列的型號(hào)包括:

CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)

 

技術(shù)參數(shù):

加速電壓:高 130keV

單段加速能力達(dá)到 130keV,盡量減少電子槍的長(zhǎng)度超短電子槍長(zhǎng)度,無(wú)微放電

電子束直徑<1.6nm 小線寬<7nm

雙熱控制,實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定直寫能力

 

 

 

CABL-UH130kV)系列

由于較高的加速電壓,EB抗蝕劑的前向散射較小。 CABL-UH模型的準(zhǔn)確度低于10 nm。您可以根據(jù)自己的需要選擇90kV,HOkV130kV

光束直徑:<1.6nm

小線寬:7 nm(在130kV時(shí))

加速電壓:130 kV,110 kV90 kV

載物臺(tái)尺寸:8英寸晶圓(可以使用少于8英寸晶圓的任何其他晶圓)

我的特色

♦Vacc:大130kV25-130kV5kV步進(jìn))

單級(jí)加速能力高達(dá)130kV,以小化EOC尺寸

無(wú)放電電子槍

光束直徑:> 1.6nm

細(xì)線能力:<7nm

發(fā)射極和陽(yáng)極之間的靜電透鏡設(shè)計(jì)為在消隱電極的中心實(shí)現(xiàn)非常低的像差和近距離交叉圖像

使用雙熱控制器實(shí)現(xiàn)超穩(wěn)定的寫入能力

I規(guī)格

電子發(fā)射器/

加速電壓TFEZrO / WZ25?130kV

小光束直徑/

小線寬1.6nm / 7.0nm

掃描方式矢量掃描(xy)(標(biāo)準(zhǔn))

矢量掃描(r,6),光柵掃描,點(diǎn)掃描(可選)

高級(jí)光刻功能(可選)場(chǎng)尺寸調(diào)制光刻,軸向?qū)ΨQ圖案光刻

字段大小30 pmZ、60pmZ120prrZ,SOOpmZ,600pm3(標(biāo)準(zhǔn))1200pmZi,2400pmZi(可選)

20,000 x20,000點(diǎn),60,000 x 60,OO點(diǎn),96,000 x 96,OO點(diǎn),

像素?cái)?shù)240,000x 240,OO點(diǎn)©矢量掃描(標(biāo)準(zhǔn))

10,000xl0,000dot @ R3Ster掃描(可選)

小地址大小10nm @ 600pmZfield,2nm @ 120pmZfield(標(biāo)準(zhǔn))

0.0012nm@600pmZfield(可選)

尺寸為46、8英寸的工件>(其他尺寸和其他形狀的工件可以通過(guò)我們的靈活裝置安裝)

拼接業(yè)紜蘇50nm3u@ 600pmZ,20nm2a@ 60pmZ

重疊精度50nm3o@ 600pmZ

CAD軟件CAD(標(biāo)準(zhǔn)),GDS n轉(zhuǎn)換(可選),DXF轉(zhuǎn)換(可選)

操作系統(tǒng)Windows

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