MAIA3 XMV 超高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡樣品形貌分析

超高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡樣品形貌分析主要特點(diǎn)：

Triglav^TM——新開(kāi)發(fā)的超高分辨電子光學(xué)鏡筒并配備TriLens^TM物鏡及*的探測(cè)系統(tǒng)

• 超高分辨率物鏡（60度浸沒(méi)式物鏡），全新的用于高分辨率分析工作的無(wú)漏磁分析物鏡，重新設(shè)計(jì)用于超大視場(chǎng)觀察的中間鏡。

• *的電子束無(wú)交叉模式與超高分辨率物鏡相結(jié)合，獲得了**的成像性能

• 傳統(tǒng)的TESCAN大視野光路設(shè)計(jì)提供各種工作和顯示模式

• 全新的EquiPower™技術(shù)進(jìn)一步提高電子束的穩(wěn)定性

• 新的肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍能使電子束流高達(dá)400nA并能實(shí)現(xiàn)電子束能量的快速改變

• 通過(guò)擴(kuò)展樣品室和專(zhuān)用支架能達(dá)到12”晶圓的SEM觀察

• 的TriBETM技術(shù)具有三個(gè)BSE探測(cè)器，可以選擇不同角度的信號(hào)進(jìn)行采集。位于鏡筒內(nèi)部的Mid-Ange BSE和In-Beam LE-BSE探測(cè)器，用于檢測(cè)中等角度及軸向的高角背散射電子，而樣品室的BSE探測(cè)器用于探測(cè)大角度范圍的背散射電子。并且這 三個(gè)探測(cè)器能探測(cè)到低于200eV的低能背散射信號(hào)，綜合在一起，他們可以提供各種不同襯度的圖像

• 的TriSE^TM技術(shù)具有三個(gè)SE探測(cè)器，對(duì)所有工作模式下采集二次電子信號(hào)都進(jìn)行了優(yōu)化。位于鏡筒內(nèi)部的In-Beam SE探測(cè)器能在短工作距離下采集二次電子。用于電子束減速模式下的SE(BDM)探測(cè)器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探測(cè)器能提供**的形貌襯度

• 電子束減速技術(shù)(BDT)能在低至50eV的低電壓下，也仍具有出色的分辨率（選配）

• 的電子束實(shí)時(shí)追蹤技術(shù)可對(duì)電子束實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)優(yōu)化

• 擴(kuò)展的低真空模式樣品室氣壓能達(dá)到500Pa，可用于不導(dǎo)電樣品的成像

超高分辨率 0.7@15keV，1.0nm@1keV

浸沒(méi)式物鏡系統(tǒng)和無(wú)交叉電子束模式結(jié)合在一起，可在低能量下實(shí)現(xiàn)超高分辨成像。浸沒(méi)式物鏡能在樣品周?chē)a(chǎn)生強(qiáng)磁場(chǎng)，顯著降低了像差。而無(wú)交叉電子束模式則降低了Boersch效應(yīng)，對(duì)電子束進(jìn)行進(jìn)一步的優(yōu)化，終達(dá)到1.0nm @1keV的超高分辨率。

低電壓和超低電壓成像

電子束減速技術(shù)(BDT)包括了電子束減速模式（BDM）， 以及在這個(gè)模式下可同步獲取二次電子和背散射電子信號(hào)的高質(zhì)量的透鏡內(nèi)探頭。在電子束減速模式下，通過(guò)加在樣品臺(tái)上的負(fù)偏壓使得電子束在作用到樣品表面前 降低能量。低的著陸電壓可以降低到50eV(在手動(dòng)控制下可以降到0eV)。電子束減速模式下減少了光路畸變，增強(qiáng)了電子鏡筒的性能，因而在低電壓下可 以獲得更小的束斑直徑和高分辨的圖片。低電壓成像可以有效減少在觀察不導(dǎo)電樣品成像時(shí)出現(xiàn)的放電效應(yīng)，也有利于對(duì)那些電子束敏感樣品和未噴鍍處理的樣品的 觀察。在這個(gè)模式下，可以達(dá)到對(duì)于表面形貌及成分襯度分析的極限分辨率。

超高分辨肖特基場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡樣品形貌分析應(yīng)用

MAIA3 model 非常適合非導(dǎo)電樣品和電子束敏感樣品的成像，如各種原始狀態(tài)的生物樣品。MAIA3 model 能獲得高靈敏的表面形貌，其出色的低電壓性能和高分辨成像是各個(gè)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的SEM系統(tǒng)選擇。

材料科學(xué)

MAIA3 model 在低電壓下有著很好的分辨率，對(duì)納米材料的表征有著極大的優(yōu)勢(shì)。尤其適合各種敏感材料和不導(dǎo)電材料（如陶瓷，聚合物，玻璃，纖維等）。

半導(dǎo)體，光電和太陽(yáng)能電池

MAIA3 model 能被高效地應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)的失效分析中（集成電路，半導(dǎo)體超薄切片檢測(cè)，太陽(yáng)能電池，納米傳感器等）

光刻

擁有超高分辨率的MAIA3 model 在電子束刻蝕領(lǐng)域也是個(gè)強(qiáng)大的工具。而且MAIA3 model 非常適合在高能電子束下很容易受到損傷的光刻膠的成像。

生命科學(xué)

低電壓下?lián)碛谐叻直媛实腗AIA3 model 能不需要鍍導(dǎo)電膜進(jìn)行樣品在原始狀態(tài)下的觀察。