化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>實(shí)驗(yàn)室常用設(shè)備>制樣/消解設(shè)備>其它消解設(shè)備>Centrotherm Oxidator 150 Centrotherm 高溫氧化系統(tǒng)-Oxidator 150
Centrotherm Oxidator 150 Centrotherm 高溫氧化系統(tǒng)-Oxidator 150
- 公司名稱 北京亞科晨旭科技有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) Centrotherm Oxidator 150
- 產(chǎn)地 德國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/9/25 16:13:33
- 訪問(wèn)次數(shù) 1216
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產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 電子 |
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Centrotherm 高溫氧化系統(tǒng)-Oxidator 150
一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介
德國(guó)Centrotherm公司是國(guó)際主流的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商,尤其在高溫設(shè)備領(lǐng)域。Centrotherm Oxidator 150 經(jīng)過(guò)專業(yè)的研發(fā), 能夠滿足 SiC 圓片的高溫氧化工藝; 同時(shí)亦可用于常規(guī)的硅圓片的氧化。Centrotherm Oxidator 150 的反應(yīng)腔具有性能高、占地小和生產(chǎn)成本低等特點(diǎn),為客戶提供最高的工藝靈活度, 同時(shí)能夠保證有毒氣體的安全使用。
設(shè)備特點(diǎn):
爐管和加熱器均處于真空密閉反應(yīng)腔內(nèi),上下料腔室可用Ar或 N2 進(jìn)行吹掃,可以保證有毒氣體(如 NO、N2O、H2、NO2 等) 的安全使用。
氧化工藝使用 N2O 氣氛,可以改善 SiO2/SiC 接觸表面以獲得更高的通道遷移率,同時(shí)可提高SiC表面氧化物的穩(wěn)定性和壽命。
提供帶有氫氧合成系統(tǒng)的濕氧工藝。
高達(dá) 1350 ℃ 的溫度和其他支持功能為 SiC 氧化工藝和低界面陷阱密度, 高通道移動(dòng)率的氧化層研制提供可能。
二、適用工藝
高溫SiC或Si氧化
氧化后退火(氫氣環(huán)境)
三、產(chǎn)品特性
性能
圓片尺寸: 2″、3″、4″、6″
工藝溫度: 900 ℃ ~ 1350 ℃
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