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S系列 MOSFET管電性能分析用源表

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱(chēng) 武漢普賽斯儀表有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào) S系列
  • 產(chǎn)地 武漢市東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/5/7 16:44:11
  • 訪問(wèn)次數(shù) 460

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武漢普賽斯儀表自主研發(fā)的高精度臺(tái)式數(shù)字源表、卡式源表、窄脈沖電流源、VCSEL測(cè)試系統(tǒng)等,*國(guó)產(chǎn)空白。主要應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的測(cè)試工藝,為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定解決方案。為半導(dǎo)體封測(cè)廠家提供相關(guān)測(cè)試儀表、測(cè)試平臺(tái),以及相關(guān)技術(shù)服務(wù),滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度,以及低成本的挑戰(zhàn)。

武漢普賽斯將以服務(wù)客戶為中心,追求可持續(xù)發(fā)展,精益求精,堅(jiān)持不懈,努力將自身打造成。

武漢普賽斯儀表公司成立于2019年,是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司。坐落于國(guó)家*產(chǎn)業(yè)基地“武漢·中國(guó)光谷”,是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的技術(shù)型企業(yè),擁有以碩士、博士為主的研發(fā)團(tuán)隊(duì)和經(jīng)驗(yàn)豐富的管理服務(wù)團(tuán)隊(duì)。

武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司是一家高科技企業(yè),專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)光通信器件產(chǎn)線監(jiān)測(cè)和測(cè)試方案和自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。產(chǎn)品覆蓋CHIP、BAR、TO、OSA等器件、光收發(fā)模塊、BOB等生產(chǎn)線??蛻舭ǎ喝A為、海思、中興、光迅、海信、正源光子、旭創(chuàng)等,公司旨在為光電器件生產(chǎn)企業(yè)提供完美的服務(wù),針對(duì)產(chǎn)線生產(chǎn)的痛點(diǎn)問(wèn)題,模擬現(xiàn)實(shí)應(yīng)用環(huán)境,進(jìn)行半導(dǎo)體光器件性能指標(biāo)生產(chǎn)監(jiān)測(cè)和測(cè)試,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程實(shí)時(shí)可監(jiān)控、可追溯。具有綜合性、完備性、穩(wěn)定性、半自動(dòng)化或自動(dòng)化等特點(diǎn),從而提高用戶產(chǎn)線產(chǎn)品的生產(chǎn)效率、可靠性、穩(wěn)定性、一致性。

源表,數(shù)字源表,脈沖電流源,VCSEL測(cè)試儀器,插卡式多通道源表,脈沖源表

產(chǎn)地類(lèi)別 國(guó)產(chǎn) 電動(dòng)機(jī)功率 0.03kW
外形尺寸 425*255*106mm 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,電子,航天,電氣
重量 5kg 測(cè)試范圍 0.3mV-300V/100nA-1A
測(cè)試精度 0.1% 最大輸出功率 30W

MOSFET管電性能分析用源表集電壓、電流輸入輸出及測(cè)量等多種功能,最大輸出電壓達(dá)300V,最小電流分辨率10pA,支持四象限工作,因此能廣泛的應(yīng)用于各種電氣特性測(cè)試中:半導(dǎo)體IC或元器件,功率器件,傳感器,有機(jī)材料與納米材料等特性測(cè)試和分析。

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以下是數(shù)字源表的典型應(yīng)用領(lǐng)域:
納米材料與器件
– 石墨烯
– 碳納米管
–    納米線
– 低功耗納米結(jié)構(gòu)

• 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
– 晶圓
– 薄膜

• 有機(jī)材料與器件
– 電子墨水
– 印刷電子技術(shù)

• 能量效率與照明
– LED/AMOLED
– 光伏/太陽(yáng)電池
–    電池

• 分立器件與無(wú)源組件
– 雙引線:   電阻器、二極管、齊納二極管、LED、傳感器

– 三引線: 小信號(hào)雙極節(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管  (FET),等等

• 材料特性分析
–電阻率
–霍爾效應(yīng)

典型的器件參數(shù)測(cè)試如下:

晶體管/整流器:正向電壓(Vf)、反向電壓(Vr)、反向漏電流(Ir)

MOSFET/JFET:輸出特性(Vds-Id)、轉(zhuǎn)移特性(Vgs-Id)、導(dǎo)通電阻(Rdson)、擊穿電壓(BVdss,BVdg)、漏電流(Idss,Igss)

雙極性晶體管/IGBT:飽和電壓(Vcesat)、輸出特性(Vce-Ic)、擊穿電壓(Vceo,Vebo,Vcbo)、漏電流(Iceo,Ices,Iebo)


以上是關(guān)于MOSFET管電性能分析用源表的信息,更多有關(guān)MOSFET管電性能分析用源表的信息找武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表




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