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化工儀器網>產品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>其它半導體行業(yè)儀器設備>其它半導體設備> 代換AON7534半導體-蘇州華鎂

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代換AON7534半導體-蘇州華鎂

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華鎂公司為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務,已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護和控制驅動芯片),產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。

華鎂整個團隊秉持著成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作理念,并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個,期許華鎂產品能滿足客戶多方面的要求,讓華鎂能為電子產品的開發(fā)盡一份努力。

華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市,國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。


MOS管,中低壓MOS管,MOSFET,場效應管

價格區(qū)間 面議 應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生,道路/軌道/船舶,汽車及零部件,電氣
通道類型 N VX 15-35-70-46-070

代換AON7534應用3串n型mos管封裝
AON7534插針網格陣列封裝(PGA)
AON7534PGA(Pin Grid Array Package)芯片內外有多個方陣形的插針,每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列,根據管腳數目的多少,可以圍成2~5圈。安裝時,將芯片插入專門的PGA插座即可,具有插拔方便且可靠性高的優(yōu)勢,能適應更高的頻率。

代換AON7534常見問題
1、代換AON7534mos管小電流發(fā)熱的原因:

1)電路設計的問題:就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關狀態(tài),這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。

如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能*導通,P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。

2)頻率太高:主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。

3)沒有做好足夠的散熱設計:電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。

4)AOT266MOS管的選型有誤:對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。

2、AOT266mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決:

做好MOS管的散熱設計,添加足夠多的輔助散熱片。

貼散熱膠。

3、代換AON7534MOS管為什么可以防止電源反接?

電源反接,會給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避免的。所以,我們就需要給電路中加入保護電路,達到即使接反電源,也不會損壞的目的。

一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決,不過,由于二極管有壓降,會給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場合,本來電池電壓就3.7V,你就用二極管降了0.6V,使得電池使用時間大減。

MOS管防反接,好處就是壓降小,小到幾乎可以忽略不計?,F在的MOS管可以做到幾個毫歐的內阻,假設是6.5毫歐,通過的電流為1A(這個電流已經很大了),在他上面的壓降只有6.5毫伏。

由于MOS管越來越便宜,所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護板MOS管放電過程中燒壞的原因

代換AON7534MOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現象,放電過程中MOS管沒有*打開,處于關閉或半打開狀態(tài),PCBA內阻變大,長時間大電流放電,發(fā)熱燒壞、燒糊。

生產組裝過程有靜電殘留,或在充放電過程中有外部異常電流/大電壓充放電過程導致MOS管被損壞、燒糊。

保護板MOS管燒壞處理方法:建議在焊接串線過程時先焊B4-線(因為靠近B2串的R19短路的風險大)然后在焊接B2串,這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。

代換AON7534MOS管燒壞防護措施:生產過程各環(huán)節(jié)做好ESD防護工作,焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路,建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿

設計時要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值,否則在實際應用中,電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿

長時間的大電流,例如D8540NX一直以33A持續(xù)過電流,芯片的內核會逐漸升溫到170度以上,芯片的內核即可能會被擊穿。

7、瞬間高壓

尤其是配合電機使用時,當電機突然停止時,會產生瞬時的反向電壓,如果續(xù)流二極管不夠大,則可能會損傷MOS。

8、代換AON7534瞬間短路電流

當短路瞬間電流超過了MOS的IDM,如果持續(xù)時間超過前述表9的邊界范圍,則有可能導致MOS瞬間擊穿。

9、代換AON7534ESD影響

冬天尤其要注意,ESD高發(fā)時,Ciss電容越小,越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關損耗過大

高頻開關,尤其是調速或無刷應用時,MOS處于高頻開關狀態(tài),如果驅動和MOS的開關速度沒有配合好,導致開關損耗過大,也同樣容易使MOS升溫導致損壞。

11、代換AON7534GS驅動電壓不匹配

對于高開啟的MOS,卻使用5V,甚至3.3V的電源來驅動,或者驅動電阻分壓不當,例如滿電時GS分壓為10V,但接近空電時只有5V左右的電壓,導致MOS開啟不*,內阻成倍增加,通過電流時會快速產生熱量導致MOS燒壞。

12、代換AON7534MOS 損壞主要原因:

過流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;

靜電 ---------- 靜電擊穿,CMOS 電路都怕靜電;

需要了解更多關于代換AON7534半導體-蘇州華鎂信息,請聯系我們的客戶經理!
華鎂用“芯”為您服務-代換AON7534半導體-蘇州華鎂







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