代換AON7534半導體-蘇州華鎂
參考價 | ¥ 1000 |
訂貨量 | ≥1個 |
- 公司名稱 蘇州華鎂憶芯半導體有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號
- 產地
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2022/5/4 9:13:18
- 訪問次數 348
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價格區(qū)間 | 面議 | 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,道路/軌道/船舶,汽車及零部件,電氣 |
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通道類型 | N | VX | 15-35-70-46-070 |
代換AON7534應用3串n型mos管封裝
AON7534插針網格陣列封裝(PGA)
AON7534PGA(Pin Grid Array Package)芯片內外有多個方陣形的插針,每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列,根據管腳數目的多少,可以圍成2~5圈。安裝時,將芯片插入專門的PGA插座即可,具有插拔方便且可靠性高的優(yōu)勢,能適應更高的頻率。
代換AON7534常見問題
1、代換AON7534mos管小電流發(fā)熱的原因:
1)電路設計的問題:就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài),而不是在開關狀態(tài),這也是導致MOS管發(fā)熱的一個原因。
如果N-MOS做開關,G級電壓要比電源高幾V,才能*導通,P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗,等效直流阻抗比較大,壓降增大,所以U*I也增大,損耗就意味著發(fā)熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2)頻率太高:主要是有時過分追求體積,導致頻率提高,MOS管上的損耗增大了,所以發(fā)熱也加大了。
3)沒有做好足夠的散熱設計:電流太高,MOS管標稱的電流值,一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于大電流,也可能發(fā)熱嚴重,需要足夠的輔助散熱片。
4)AOT266MOS管的選型有誤:對功率判斷有誤,MOS管內阻沒有充分考慮,導致開關阻抗增大。
2、AOT266mos管小電流發(fā)熱嚴重怎么解決:
做好MOS管的散熱設計,添加足夠多的輔助散熱片。
貼散熱膠。
3、代換AON7534MOS管為什么可以防止電源反接?
電源反接,會給電路造成損壞,不過,電源反接是不可避免的。所以,我們就需要給電路中加入保護電路,達到即使接反電源,也不會損壞的目的。
一般可以使用在電源的正極串入一個二極管解決,不過,由于二極管有壓降,會給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場合,本來電池電壓就3.7V,你就用二極管降了0.6V,使得電池使用時間大減。
MOS管防反接,好處就是壓降小,小到幾乎可以忽略不計?,F在的MOS管可以做到幾個毫歐的內阻,假設是6.5毫歐,通過的電流為1A(這個電流已經很大了),在他上面的壓降只有6.5毫伏。
由于MOS管越來越便宜,所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。
4、電池保護板MOS管放電過程中燒壞的原因
代換AON7534MOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現象,放電過程中MOS管沒有*打開,處于關閉或半打開狀態(tài),PCBA內阻變大,長時間大電流放電,發(fā)熱燒壞、燒糊。
生產組裝過程有靜電殘留,或在充放電過程中有外部異常電流/大電壓充放電過程導致MOS管被損壞、燒糊。
保護板MOS管燒壞處理方法:建議在焊接串線過程時先焊B4-線(因為靠近B2串的R19短路的風險大)然后在焊接B2串,這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。
代換AON7534MOS管燒壞防護措施:生產過程各環(huán)節(jié)做好ESD防護工作,焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路,建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。
5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿
設計時要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值,否則在實際應用中,電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。
6、持續(xù)大電流造成熱擊穿
長時間的大電流,例如D8540NX一直以33A持續(xù)過電流,芯片的內核會逐漸升溫到170度以上,芯片的內核即可能會被擊穿。
7、瞬間高壓
尤其是配合電機使用時,當電機突然停止時,會產生瞬時的反向電壓,如果續(xù)流二極管不夠大,則可能會損傷MOS。
8、代換AON7534瞬間短路電流
當短路瞬間電流超過了MOS的IDM,如果持續(xù)時間超過前述表9的邊界范圍,則有可能導致MOS瞬間擊穿。
9、代換AON7534ESD影響
冬天尤其要注意,ESD高發(fā)時,Ciss電容越小,越容易受到ESD的影響。
10、高頻開關損耗過大
高頻開關,尤其是調速或無刷應用時,MOS處于高頻開關狀態(tài),如果驅動和MOS的開關速度沒有配合好,導致開關損耗過大,也同樣容易使MOS升溫導致損壞。
11、代換AON7534GS驅動電壓不匹配
對于高開啟的MOS,卻使用5V,甚至3.3V的電源來驅動,或者驅動電阻分壓不當,例如滿電時GS分壓為10V,但接近空電時只有5V左右的電壓,導致MOS開啟不*,內阻成倍增加,通過電流時會快速產生熱量導致MOS燒壞。
12、代換AON7534MOS 損壞主要原因:
過流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結溫過高而燒毀;
過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿;
靜電 ---------- 靜電擊穿,CMOS 電路都怕靜電;
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