DRE-2C 瞬態(tài)平面熱源法導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀

瞬態(tài)平面熱源法導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀

DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀（瞬態(tài)平面熱源法）

DRE-2C導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀采用瞬態(tài)平面熱源法，主要測(cè)量固體、粉末、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)。本儀器基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù)，用Hot Disk作為探頭的導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀。

Hot Disk法的優(yōu)點(diǎn)有：

(1)直接測(cè)量熱傳播，可以節(jié)約大量的時(shí)間；

(2)不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響；

(3)無須特別的樣品制備，只需相對(duì)平整的樣品表面。

瞬態(tài)平面熱源法導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定儀

主要技術(shù)指標(biāo)：

1、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍：0.0100—500W/mk,分辨率:0.0001 W/(m·K)；

2、熱擴(kuò)散系數(shù)(導(dǎo)溫系數(shù))范圍: 0. 1~100 m2/s；

3、蓄熱系數(shù)范圍: 0.1~30 w/(m k);

4、比熱容范圍: 0.1~5 kJ/(kg. ℃);  

5、熱阻范圍: 0.5~0.000005 mm2*k/w;

6、溫度測(cè)量精度:<0.001℃,

7、測(cè)量時(shí)間：1-600秒,

8、測(cè)量相對(duì)誤差：≤3%；重復(fù)性誤差：≤ 3%；

9、溫度范圍：標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量：室溫，可根據(jù)客戶要求選配各種溫度段的測(cè)試溫度，如室溫～150℃選配恒溫實(shí)驗(yàn)箱,-40℃～100℃選配高低溫實(shí)驗(yàn)箱等，費(fèi)用另計(jì)；

10、樣品尺寸：樣品尺寸：不小于30*30*7.5mm;單層不夠的可多層疊加檢測(cè)，相對(duì)平整的樣品表面,粉體材料可用直接插入探頭檢測(cè)；

11、儀器參考標(biāo)準(zhǔn)：ISO 22007-2008及GB/T32064-2015建筑用材料導(dǎo)熱系數(shù)和熱擴(kuò)散系數(shù)瞬態(tài)平面熱源測(cè)試法.

12、操作方便，測(cè)試速快，僅需將測(cè)試探頭夾在兩塊試樣塊中間，通過簡(jiǎn)單的軟件點(diǎn)擊操作即能獲得被測(cè)試樣的導(dǎo)熱系數(shù)。

13、電源：電壓220V；頻率50Hz；功率<500W,

14、通訊接口：USB接口。

探頭技術(shù)指標(biāo)：

1. 加熱材料：金屬鎳；

2. 使用溫度：-50～150℃；

3. 最大功率：20w；

4. 最大電壓：20V；

5. 最大電流：1A；

6. 電阻：10Ω左右，依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn)；

7. 鎳絲規(guī)格：厚度0.01mm,熱絲寬度：0.35±0.03mm；熱絲間距：0.35±0.03mm ；

8. 保護(hù)層材料：聚酰亞胺薄膜（Kapton）；單層厚度：0.06mm

9. 探頭直徑：7.5mm或15mm，兩種規(guī)格任選；

10. 探頭總厚度（包括粘結(jié)層厚度）0.07±0.02mm。

儀器配置：含DRE-2C測(cè)試主機(jī)1臺(tái)，測(cè)試探頭1個(gè)，測(cè)試軟件1套，通訊接口及數(shù)據(jù)線1套，樣品夾具1個(gè)，需方自備電腦，如需選配恒溫裝置，費(fèi)用另計(jì)。