TS2000-DP 半自動(dòng)|MPI 8英寸高壓探針臺(tái)

探針卡和微型定位器

TS2000-DP可提供高達(dá)12倍的高壓（高達(dá)3 kV三軸或10 kV同軸）或4倍的多手指高電流，高達(dá)400 A MicroPositioners。許多單探頭，專用于防電弧高功率探頭卡的探頭卡座使該系統(tǒng)成為高功率設(shè)備特性測(cè)量的理想選擇。

防電弧技術(shù)

該系統(tǒng)配有ArcShield™，可防止卡盤和探針壓板之間發(fā)生任何可能的電弧。

防電弧探針卡具有在DUT周圍施加高壓的能力，并且可以使用帕申定律來(lái)防止焊盤之間產(chǎn)生電弧。專門設(shè)計(jì)的防電弧LiquidTray™只需將其放在高功率卡盤表面即可用于抑制電弧。晶圓可以安全地放置在托盤內(nèi)，以浸沒(méi)在液體中進(jìn)行無(wú)電弧高壓測(cè)試。MPI卡盤設(shè)計(jì)用于300°C時(shí)高達(dá)10 kV（同軸）。

儀器集成

TS2000-DP可以配置各種儀器連接套件，其中包括必要的高壓/大電流探頭和電纜附件，以優(yōu)化連接至測(cè)試儀器，例如Keysight B15005（3 kV或10 kV），包括集成的模塊選擇器或吉時(shí)利2600-PCT-XB，包括集成的8020大功率接口面板。

設(shè)備簡(jiǎn)介：

通過(guò)TS2000-DP，MPI提供了一個(gè)多功能且經(jīng)濟(jì)高效的探針臺(tái)，適用于20°C至300°C溫度范圍內(nèi)的晶圓上高功率器件測(cè)量，測(cè)量能力高達(dá)3 kV（三軸）/ 10 kV（同軸）和600 A（脈沖）。