GDAT-A 覆銅板介電常數(shù)損耗測(cè)試儀
- 公司名稱 北京北廣精儀儀器設(shè)備有限公司
- 品牌 北廣精儀
- 型號(hào) GDAT-A
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/7/16 14:46:46
- 訪問(wèn)次數(shù) 868
薄膜電阻率測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)量?jī)x扭轉(zhuǎn)試驗(yàn)機(jī)直流電阻率測(cè)試儀粉體電阻率測(cè)試儀
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拉力機(jī),體積表面電阻測(cè)試儀,電壓擊穿試驗(yàn)機(jī),TOC總有機(jī)碳,完整性測(cè)試儀,介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀等等
產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 價(jià)格區(qū)間 | 1萬(wàn)-2萬(wàn) |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電氣,綜合 |
覆銅板介電常數(shù)損耗測(cè)試儀在相同添加量情況下,lOOnm制備的復(fù)合材料的介電常數(shù)明顯高于添加其他顆粒大小的復(fù)合材料。這表明添加近lOOnmBT的復(fù)合材料的界面極化能力介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的物理性質(zhì),通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù)。隨著頻率的升高,復(fù)合材料的介電損耗都是先降低在急劇升高。復(fù)合材料的介電損耗大致有兩種,一種為極化損耗,一種為電導(dǎo)損耗。在低頻條件下,大多發(fā)生電導(dǎo)損耗。通常情況下在頻率100kHz以下時(shí),由于復(fù)合材料的介電常數(shù)較高且隨著頻率的升高而降低,因此其電導(dǎo)損耗也較高且隨著頻率的升高而降低。而隨著頻率高過(guò)100kHz時(shí),復(fù)合材料材料的電導(dǎo)損耗降低,其主要為極化損耗,由于電介質(zhì)的分子為極性分子,在高頻情況下分子得到轉(zhuǎn)向和位移極化都會(huì)需要一定的時(shí)間,而這個(gè)極化時(shí)間就導(dǎo)致電介質(zhì)的極化與外加電場(chǎng)有一個(gè)相位差,而因?yàn)檫@個(gè)相位差就導(dǎo)致了極化損耗^_681。隨著BT含量的增加,在低頻的情況下越高濃度復(fù)合材料介電損耗會(huì)越高。但隨著頻率的增高,在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料,在高頻的情況下其介電損耗會(huì)比低濃度復(fù)合材料介電損耗低。這主要是因?yàn)樵诘皖l情況下,添加BT顆粒會(huì)增加其本身的介電常數(shù)因?yàn)樵黾恿穗妼?dǎo)損耗,但隨著頻率的增高,在低頻具有高介電損耗的復(fù)合材料薄膜,在高頻的情況下,其介電損耗會(huì)比在低頻具有低介電損耗的復(fù)合材料薄膜的低,也就是倒置現(xiàn)象。這主要是因?yàn)椋拢允欠菢O性的納米顆粒,隨著BT含量的增加導(dǎo)致了極化的降低。純的PVDF介電損耗為0.058。在40wt%添加量時(shí),50nm制備的復(fù)合材料介電損耗為0.17為純的PVDF的3倍。
儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。它以單片計(jì)算機(jī)控制儀器,測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定、標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定、諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索、Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換、數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回路的殘余電感減至*,并保留了原Q表中自動(dòng)穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時(shí)更為方便,測(cè)量時(shí)更為精確。儀器能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。
覆銅板介電常數(shù)損耗測(cè)試儀復(fù)合材料介電常數(shù)隨頻率變化關(guān)系圖,范圍為100Hz至1MHz。純PVDF在100Hz時(shí)的介電常數(shù)為7.89。11可知,從100HZ直到1MHz時(shí),復(fù)合材料的介電常數(shù)都會(huì)略有下降,這種趨勢(shì)在100kHz以上時(shí)更為明顯[651。當(dāng)40wt%添加量時(shí),100nm制備的復(fù)合材料介電常數(shù)最大,100Hz時(shí),介電常數(shù)為20.3是原始PVDF膜的2.57倍。引起介電常數(shù)提高的原因可以歸因于引入高介電常數(shù)填料。