HGSK2-10-12DZ-PECVD 單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)

單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)

一、PECVD系統(tǒng)組成：

單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)由滑竿式真空管式爐、石英真空室、射頻電源、供氣系統(tǒng)、抽氣系統(tǒng)、真空測量系統(tǒng)組成。

二、系統(tǒng)特點(diǎn)：

1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)

2、PECVD比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積所需的溫度更低

3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應(yīng)力大小

4、單溫區(qū)滑桿式PECVD系統(tǒng)比普通CVD進(jìn)行化學(xué)氣相沉積速率高、均勻性好、一致性和穩(wěn)定性高

5、廣泛應(yīng)用于：各種薄膜的生長

三、系統(tǒng)組成

1、HGSK2-10-12DZ單溫區(qū)滑竿式管式爐

1.1、爐管尺寸：φ100*1800mm

1.2、爐管材質(zhì)：石英玻璃

1.3、外型尺寸：1800*460*660mm

1.4、溫區(qū)數(shù)量：單溫區(qū)

1.5、設(shè)計(jì)溫度：1200℃

1.6、電源功率：AV200V\50Hz；3.5kw

1.7、滑軌材質(zhì)：不銹鋼

1.8、滑動(dòng)方式：手動(dòng)不銹鋼滾珠軸承

1.9、控溫儀表：智能30段程序控溫儀表

1.10、控溫精度：±1℃

1.11、加熱區(qū)長度：400mm

1.12、控制方式：可控硅觸發(fā)控制

1.13、熱電偶：K型

1.14、安全措施：超溫、過壓、過流

1.15、真空密封：不銹鋼法蘭

2、射頻電源（等離子發(fā)生器）

2.1、功率范圍：0-500w

2.2、最大發(fā)射功率：200w

2.3、射頻寬度：0-600mm

2.4、射頻接口：50Ω N-TYPE

2.5、射頻工作頻率：13.56MHZ

2.6、電源：AC220v、50Hz

3、供氣系統(tǒng)

3.1、雙路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)

3.2、質(zhì)子流量計(jì)流量范圍可選

3.3、進(jìn)出氣接口：標(biāo)配雙卡套不銹鋼接頭

3.4、供氣系統(tǒng)壓力范圍：0.1-0.5MPa

3.5、混氣室：φ50*400mm

3.6、接口規(guī)格：φ6  1/4”

4、真空抽氣系統(tǒng)：

4.1、真空泵FX-16

4.1.1、極限壓強(qiáng)：4*10-2Pa

4.1.2、進(jìn)氣接口：KF25

4.1.3、電機(jī)轉(zhuǎn)速：1440RPM

4.1.4、抽氣速率：4L/S

4.1.5、電機(jī)功率：550w

4.2、電阻真空計(jì)ZDR-1

4.2.1、功率：25w

4.2.2、真空度范圍：0.1-10*5Pa

4.2.3、電阻硅：ZJ-52T

HGSK2-10-12DZ-PECVD單溫區(qū)滑竿式PECVD系統(tǒng)配置：

單溫區(qū)滑竿式管式爐一臺(tái)、射頻電源一套、兩路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)一套、抽真空系統(tǒng)一套