PA1CE Thorlabs 壓電驅(qū)動(dòng)器 壓電芯片 低電壓

Thorlabs 壓電驅(qū)動(dòng)器 壓電芯片 低電壓

特性

• 亞微米分辨率

• 安裝面尺寸范圍從0.9 mm x 0.9 mm到10.0 mm x 10.0 mm

• 定制其他尺寸請(qǐng)聯(lián)系我們

• 驅(qū)動(dòng)電壓范圍為0 - 45 V、0 - 75 V、0 - 100 V或0 - 150 V

• 推薦負(fù)載范圍從13 N(3 lbs)到1600 N(360 lbs)

• 用于開環(huán)實(shí)驗(yàn)裝置

• 許多芯片提供預(yù)連導(dǎo)線選項(xiàng)

• 非常適合真空和OEM應(yīng)用

• 半球端帽和平面端帽單獨(dú)提供

Thorlabs的壓電驅(qū)動(dòng)器由多層壓電陶瓷組成，如右上圖所示，在下面壓電芯片和堆棧制造中也有描述。堆疊之前，每層都鍍有電極，通過(guò)精密打磨工藝，使每個(gè)芯片的高度公差優(yōu)于±5 µm。緊湊型多層設(shè)計(jì)使其具備高共振頻率(160 kHz - 1350 kHz)和亞毫秒級(jí)的響應(yīng)時(shí)間。

這些驅(qū)動(dòng)器可以精密移動(dòng)，產(chǎn)生的自由行程范圍(無(wú)負(fù)載條件下)從0.7 µm至6.1 µm 。驅(qū)動(dòng)器預(yù)載最大位移負(fù)載時(shí)，可以達(dá)到最大位移，每種型號(hào)對(duì)于這點(diǎn)都有相應(yīng)規(guī)定。每種型號(hào)最大位移的實(shí)際值有所差異，必須通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定；但是，最大位移始終會(huì)大于自由行程位移。

芯片的每層都包含電極，因?yàn)檫@樣可以使驅(qū)動(dòng)電壓最小。我們的壓電芯片具有三個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓范圍選項(xiàng)：0 - 45 V、0 - 75 V、0 - 100 V或0 - 150 V。當(dāng)應(yīng)用對(duì)電壓非常敏感時(shí)，請(qǐng)考慮我們最大驅(qū)動(dòng)電壓為45 V或75 V的芯片。對(duì)電壓不太敏感的應(yīng)用，可考慮使用100 V和150 V的壓電芯片，因?yàn)樗鼈兊氖褂脡勖L(zhǎng)。

這些芯片沒有電極的區(qū)域鍍有陶瓷層，用于防潮。陶瓷層的防潮性能比環(huán)氧樹脂層更好。芯片其余兩個(gè)側(cè)面印刷網(wǎng)版銀電極，可從電極上施加電壓。正極以銀色的"+"號(hào)或一個(gè)黑色的點(diǎn)表示。為了方便起見，我們的許多芯片都配送兩側(cè)焊接75 mm導(dǎo)線的版本。

為了適應(yīng)各種負(fù)載條件，可為這些芯片購(gòu)置平面陶瓷或半球形陶瓷端帽附件。此外，Thorlabs提供錐形端帽，兼容接觸直徑為1.5到7.0 mm的球面。

Thorlabs 壓電驅(qū)動(dòng)器 壓電芯片 低電壓