PEALD

一、雙腔室高真空等離子體PEALD系統(tǒng)核心參數(shù)：  

價格區(qū)間：100萬-200萬  

產(chǎn)地類別：國產(chǎn)原子層沉積系統(tǒng)（ALD）  

襯底尺寸：Ф200mm  

工藝溫度：RT-500±1oC  

前驅(qū)體數(shù)：最大可包括3組等離子體反應氣體4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅(qū)體  

重量：300KG  

尺寸(WxHxD)：1400*1000*1900mm  

均勻性：均一性<1%  

二、雙腔室高真空等離子體ALD系統(tǒng)應用原理分析：  

原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應腔體內(nèi)并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術，具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。  

等離子體增強原子層沉積(PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是對ALD技術的擴展，通過等離子體的引入，產(chǎn)生大量活性自由基，增強了前驅(qū)體物質(zhì)的反應活性，從而拓展了ALD對前驅(qū)源的選擇范圍和應用要求，縮短了反應周期的時間，同時也降低了對樣品沉積溫度的要求，可以實現(xiàn)低溫甚至常溫沉積，特別適合于對溫度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉積。

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四、主要技術參數(shù)：

五、測試結(jié)果展示：