無(wú)錫冠亞恒溫制冷技術(shù)有限公司的半導(dǎo)體控溫解決方案

主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體專?溫控設(shè)備、射流式?低溫沖擊測(cè)試機(jī)和半導(dǎo)體??藝廢?處理裝置等?設(shè)備，

?泛應(yīng)?于半導(dǎo)體、LED、LCD、太陽(yáng)能光伏等領(lǐng)域。

【 冠亞制冷 】半導(dǎo)體行業(yè)主營(yíng)控溫產(chǎn)品：

半導(dǎo)體專溫控設(shè)備

射流式?低溫沖擊測(cè)試機(jī)

半導(dǎo)體專用溫控設(shè)備chiller

Chiller氣體降溫控溫系統(tǒng)

Chiller直冷型

循環(huán)風(fēng)控溫裝置

半導(dǎo)體?低溫測(cè)試設(shè)備

電?設(shè)備?溫低溫恒溫測(cè)試?yán)錈嵩?/span>

射流式高低溫沖擊測(cè)試機(jī)

快速溫變控溫卡盤

數(shù)據(jù)中心液冷解決方案

-80℃射流高低溫沖擊測(cè)試機(jī) 循環(huán)風(fēng)控溫裝置

-80℃射流高低溫沖擊測(cè)試機(jī) 循環(huán)風(fēng)控溫裝置

射流式高低溫沖擊測(cè)試機(jī)給芯片、模塊、集成電路板、電子元器件等提供精確且快速的環(huán)境溫度。

是對(duì)產(chǎn)品電性能測(cè)試、失效分析、可靠性評(píng)估的儀器設(shè)備。

溫度控制范圍：-120℃ 至+300℃，升降溫速率??？焖伲?50℃?-55℃＜10秒，zui??流量：30m3/h；

實(shí)時(shí)監(jiān)控被測(cè)IC真實(shí)溫度,實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋，實(shí)時(shí)調(diào)整?體溫度升降溫時(shí)間可控，程序化操作、?動(dòng)操作、遠(yuǎn)程控制

　　冷熱循環(huán)沖擊測(cè)試機(jī)是用于測(cè)試集成電路在不同溫度下的性能和穩(wěn)定性的設(shè)備，在選購(gòu)冷熱循環(huán)沖擊測(cè)試機(jī)時(shí)，需要考慮以下幾個(gè)方面：

　　1、測(cè)試溫度范圍：根據(jù)需要測(cè)試的集成電路的類型和規(guī)格，確定所需的測(cè)試溫度范圍。一般來(lái)說(shuō)，冷熱循環(huán)沖擊測(cè)試機(jī)的溫度范圍應(yīng)該在-120℃到200℃之間，以滿足大多數(shù)半導(dǎo)體的測(cè)試需求。

　　2、溫度穩(wěn)定性：溫度穩(wěn)定性是測(cè)試系統(tǒng)的重要指標(biāo)之一。冷熱循環(huán)沖擊測(cè)試機(jī)的溫度穩(wěn)定性應(yīng)該足夠高，以保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。一般來(lái)說(shuō)，溫度波動(dòng)范圍應(yīng)該在±1℃以內(nèi)。

　　3、測(cè)試速度：測(cè)試速度也是需要考慮的因素之一。冷熱循環(huán)沖擊測(cè)試機(jī)的測(cè)試速度應(yīng)該足夠快，以減少測(cè)試時(shí)間和提升效率。一般來(lái)說(shuō)，冷熱循環(huán)沖擊測(cè)試機(jī)測(cè)試速度應(yīng)該在每小時(shí)測(cè)試數(shù)百個(gè)樣品以上。

　　4、測(cè)試精度：冷熱循環(huán)沖擊測(cè)試機(jī)的測(cè)試精度應(yīng)該足夠高，以保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。一般來(lái)說(shuō)，測(cè)試誤差應(yīng)該在±1℃以內(nèi)。