NGI3000 美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源

美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源：NGI3000

LK-Technologies強(qiáng)大，流行的離子源設(shè)計(jì)用于通過離子濺射清潔表面，光束能量高達(dá)3 keV，典型離子電流高達(dá)30μA。該噴槍采用了一種新穎的氣體噴射系統(tǒng)，該系統(tǒng)允許在典型的1×10 -6托的腔室壓力下進(jìn)行濺射。

離子源（英文名稱：Ion source）是使中性原子或分子電離，并從中引出離子束流的裝置。它是各種類型的離子加速器、質(zhì)譜儀、電磁同位素分離器、離子注入機(jī)、離子束刻蝕裝置、離子推進(jìn)器以及受控聚變裝置中的中性束注入器等設(shè)備的部件。

氣體放電、電子束對(duì)氣體原子(或分子)的碰撞，帶電粒子束使工作物質(zhì)濺射以及表面電離過程都能產(chǎn)生離子，并被引出成束。根據(jù)不同的使用條件和用途，已研制出多種類型的離子源。使用較廣泛的有弧放電離子源、PIG離子源、雙等離子體離子源和雙彭源這些源都是以氣體放電過程為基礎(chǔ)的,常被籠統(tǒng)地稱為弧源。高頻離子源則是由氣體中的高頻放電來產(chǎn)生離子的，也有廣泛的用途。新型重離子源的出現(xiàn)，使重離子的電荷態(tài)顯著提高,其中較成熟的有電子回旋共振離子源(ECR)和電子束離子源(EBIS)。負(fù)離子源性能較好的有轉(zhuǎn)荷型和濺射型兩種。在一定條件下，基于氣體放電過程的各種離子源，都能提供一定的負(fù)離子束流。

離子源是一門具有廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的學(xué)科，在許多基礎(chǔ)研究領(lǐng)域如原子物理、等離子化學(xué)、核物理等研究中，離子源都是十分重要的設(shè)備。

美國 IK-TECHNOLOGIES 離子源

氣體注入系統(tǒng)避免了昂貴的差動(dòng)泵送設(shè)備

低室壓下的惰性氣體濺射

寬離子束確保均勻?yàn)R射

與普通濺射清潔和ISS應(yīng)用兼容

連續(xù)可調(diào)諧的電壓從200 V到3 kV

帶USB或以太網(wǎng)接口的數(shù)字控制電子設(shè)備