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XF1 Langer無源近場探頭組

參考價￥8.00
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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XF18.00元10 套可售

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射頻微波器件，EMC測試器件，SIM卡

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,交通,航天,汽車,電氣

Langer無源近場探頭組

品牌：Langer EMV-Technik   

型號：XF1

無源XF1近場探頭組（30MHz-6GHz）


無源XF（30MHz-6GHz）

XF系列探頭包含4個無源磁場探頭和3個無源電場探頭，用于在電子模塊研發(fā)階段進(jìn)行電場和磁場的測量，覆蓋頻率范圍為30MHz到6GHz。這種探頭內(nèi)置阻抗匹配器，因而與其他探頭（如RF型探頭）相比在低頻區(qū)域較不敏感。由于其頻率范圍寬并包含從很大到很小尺寸的各種探頭，因而有著廣泛的應(yīng)用。探頭的組合按照顧客的需求。

XF系列的探頭可以用于逐步查找模塊的干擾場源。我們建議，首先使用大型高靈敏探頭從遠(yuǎn)距離查找模塊的干擾放射源，然后再用更高分辨率的探頭進(jìn)一步精確定位干擾源。通過相應(yīng)地操作近場探頭，能夠測量出電磁場的方向及其分布。這種近場探頭小巧輕便，并采用外皮電流衰減。磁場探頭采用電屏蔽設(shè)計。

這種近場探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻。



Langer無源近場探頭組XF1（30MHz-6GHz）簡介:

包含4個無源磁場探頭和1無源電場探頭，所有探頭的頻率范圍為30MHz到6GHz，用于在研發(fā)階段測量磁場和電場。由于在探頭內(nèi)部配置了阻抗匹配器，該探頭組與其他探頭（如RF型探頭）相比，在低頻區(qū)較不敏感。

使用XF 1系列的探頭，可以逐步辨識電子模塊中的干擾磁場源。例如，首先用XF-R 400-1型探頭檢測電子模塊總體發(fā)射出的干擾場，然后再用高分辨率探頭更準(zhǔn)確地識別干擾源。電場探頭用于檢測電子模塊表面的干擾電場。

通過相應(yīng)地操作近場探頭，能夠測量出電磁場的方向及其分布。這種近場探頭小巧輕便，并采用外皮電流衰減。磁場探頭采用電屏蔽設(shè)計。這種近場探頭可以接到頻譜分析儀或示波器的50Ω輸入端。這些近場探頭的內(nèi)部安裝有終端電阻。



Langer XF1近場探頭組配置:

1x XF-R 400-1, 磁場探頭（30MHz-6Hz）

1x XF-R 3-1, 磁場探頭（30MHz-6GHz）

1x XF-B 3-1, 磁場探頭（30MHz-6Hz）

1x XF-E 10, 電場探頭（30MHz-6GHz）

1x XF-U 2.5-1, 磁場探頭（30MHz-6GHz）

1x SMA-SMA 1 m, SMA-SMA 測量電纜

1x XF 1 qg, XF1系列 快速指南

1x Case 5(24 x 19.5 x 6) cm


簡短的介紹

XF-R 400-1磁場探頭 因較大的直徑（25mm）而擁有很高的靈敏度，允許在10cm以內(nèi)的距離測量模塊和設(shè)備。

XF-R 400-1.JPG


XF-R 3-1型近場探頭： 用于高分辨率直接檢測組件上，譬如IC的引腳或外殼、布線、旁路電容器和電磁兼容性（EMC）元件等區(qū)域的射頻磁場。

XF-R 3-1.JPG


XF-B 3-1型磁場探頭的測量線圈相對垂直于探頭柄。當(dāng)探頭豎直放置到電路板上時，其測量線圈直接平放在電路板的表面上。由此就能夠測量到印刷電路板表面上很難達(dá)到的一些位置，如開關(guān)調(diào)節(jié)器的大元件之間的位置。

XF-B 3-1.JPG


XF-E 10型電場探頭底面的電極僅有約0.2mm寬，用于定位最小的電場，例如0.1mm寬的導(dǎo)線、高針數(shù)集成電路的單個引腳等發(fā)射的電場。測試時將該電場探頭放置在受測物體上。

XF-E 10.JPG


XF-U 2.5-1型磁場探頭是一個近場探頭，用于選擇性測量導(dǎo)線、SMD組件和IC引腳中的高頻電流。這個探頭有一個大約0.5mm寬的磁場敏感缺口，測量時將這個缺口放在布線、IC或者電容器的連接點上。

XF-U 2.5-1.JPG


無源XF（30MHz-6GHz）其他近場探頭介紹：

XF-R 100-1型磁場探頭（30MHz-6GHz）用于測量模塊、設(shè)備或電纜，可以在距離被測物3cm以內(nèi)使用。利用該磁場探頭能夠識別較大組件是否為潛在的干擾源。這種磁場探頭呈現(xiàn)很高的帶寬和線性度。

XF-R 100-1.JPG


XF-E 04s電場探頭（30MHz-6GHz）：這種近場探頭可以檢測受測對象（IC）耦合產(chǎn)生的電場。探頭的側(cè)面采用屏障設(shè)計，所以側(cè)面作用的電場不影響測量結(jié)果。這種近場探頭的靈敏度允許在0.5到10mm的距離檢測集成電路及其他電子模塊的電場。

XF-E 04s.JPG


XF-E 09s電場探頭（30MHz-6GHz）：這種近場探頭可以檢測受測對象（IC）耦合產(chǎn)生的電場。探頭的側(cè)面采用屏障設(shè)計，所以側(cè)面作用的電場不影響測量結(jié)果。這種近場探頭的靈敏度允許在0.5到10mm的距離檢測集成電路及其他電子模塊的電場。

XF-E 09s.JPG



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