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Plasmalab 133 牛津儀器 RIE 半導體刻蝕機

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 艾博納微納米科技（江蘇）有限責任公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 Plasmalab 133
  • 產(chǎn)地 江蘇省淮安市清江浦區(qū)清浦工業(yè)園枚皋路7號
  • 廠商性質 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2024/11/4 8:28:25
  • 訪問次數(shù) 311
產(chǎn)品標簽

半導體刻蝕機刻蝕機RIE

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艾博納微納米科技(江蘇)有限公司致力于科研器材的研發(fā)與生產(chǎn)，以國際科研單位力量為支點，凝聚社會力量共同謀求推動全“人類科學發(fā)展與進步”。艾博納微納米科技（江蘇）有限公司創(chuàng)立于中國江蘇，用戶群體分布于世界各國以及國內大陸大部分地區(qū)。公司主營業(yè)務有物理科研器材、二維材料轉移裝置、二維材料微納加工設備、微納米光學系統(tǒng)包括遠場以及近場全波段光學顯微系統(tǒng)研發(fā)、國產(chǎn)原子力顯微鏡、耗材（包含氮化硼國產(chǎn)高質量生長等各種晶體、硅片、超干凈藍膜膠帶等）、其他二維材料制備相關設備如等離子處理儀、顯像設備等。所有經(jīng)由我司售賣的產(chǎn)品均享受售后保障，用戶可放心購買。

 

探針臺，二維材料轉移臺，金相顯微鏡，步進電機，步進電機控制器，原子力顯微鏡，拉曼光譜儀

牛津儀器 RIE 半導體刻蝕機 Plasmalab 133。刻蝕是半導體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。在半導體器件的整個制造過程中，刻蝕步驟多達上百個，是半導體制造中常見的工藝之一。本設備支持的晶圓尺寸最大為300mm（330mm基臺）RIE設置為GaN刻蝕射頻功率：600W，13.56MHz水冷電極：10C-80C終點檢測：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）帶8條氣體管線的氣體艙，包括以下7個質量流量控制器（MFCs）：Ar：100sccmCl2：100sccmBCl3：100sccmN2O：200sccmCHF3：200sccmNH3：100sccmCH4：50sccm

射頻功率：600W，13.56MHz
水冷電極：10C-80C
終點檢測：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）
帶8條氣體管線的氣體艙，包括以下7個質量流量控制器（MFCs）：
Ar：100sccm
Cl2：100sccm
BCl3：100sccm
N2O：200sccm
CHF3：200sccm
NH3：100sccm
CH4：50sccm





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