PECVD等離子體增強氣相沉積
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- 公司名稱 上海添時科學儀器有限公司
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- 廠商性質 代理商
- 更新時間 2024/8/29 16:50:29
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PECVD等離子體增強化學氣相沉積是一種利用等離子體來促進氣體反應的CVD技術。其特點包括:
1、低溫沉積:PECVD可以在較低的基材溫度下進行,因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應,降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率:等離子體增強了氣體反應速率,從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質量:PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,適用于需要高質量薄膜的應用。
4、適應性強:可以沉積多種材料,包括氧化物、氮化物和氟化物等,廣泛應用于半導體、光電器件和保護涂層等領域。
5、控制性好:通過調整等離子體的參數(如功率、氣體流量和壓力),可以精確控制薄膜的成分和性質。
加熱爐參數
?最高溫度:1200ºC(<30min),連續(xù)工作溫度:1100℃;
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng);
?輸入功率:208-240V,單相,最大功率:2.5KW;
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗;
?回轉爐旋轉速度:2-10rpm;
?爐體開啟式設計,以達到對樣品快速降溫,方便更換爐管。
1、低溫沉積:PECVD可以在較低的基材溫度下進行,因為等離子體提供的能量能夠促進氣體反應,降低沉積溫度的需求。
2、高沉積速率:等離子體增強了氣體反應速率,從而提高了薄膜沉積速率。
3、良好的膜質量:PECVD沉積的薄膜通常具有較好的均勻性和較低的缺陷密度,適用于需要高質量薄膜的應用。
4、適應性強:可以沉積多種材料,包括氧化物、氮化物和氟化物等,廣泛應用于半導體、光電器件和保護涂層等領域。
5、控制性好:通過調整等離子體的參數(如功率、氣體流量和壓力),可以精確控制薄膜的成分和性質。
加熱爐參數
?最高溫度:1200ºC(<30min),連續(xù)工作溫度:1100℃;
?兩個PID溫度控制器及30段可編程溫控系統(tǒng);
?輸入功率:208-240V,單相,最大功率:2.5KW;
?高純氧化鋁纖維保溫層可以最大限度降低能耗;
?回轉爐旋轉速度:2-10rpm;
?爐體開啟式設計,以達到對樣品快速降溫,方便更換爐管。