DP-T2B 半導(dǎo)體管特性圖示儀

半導(dǎo)體管特性圖示儀  型號：DP-T2B

* DP-T2B半導(dǎo)體管特性圖示儀可根據(jù)需要測量半導(dǎo)體MOS管，二極管、三極管，可控管等的低頻直流參數(shù)，大集電極電流可達(dá)50A，基本滿足功率500W以下的半導(dǎo)體管的測試。

* 本儀器還附有高壓的測試裝置，可對5000V以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測試，

其測試電流靈敏度達(dá)到0.5uA/度。

* 本儀器所提供的基極階梯信號還具有脈沖階梯輸出，因此可擴(kuò)大測量范圍及對二次擊穿的測量。

*本儀器帶階梯偏置電壓(△VB)，-6V～+6V連續(xù)可調(diào)。適宜大功率VMOS管測試。

1.集電極電流偏轉(zhuǎn)系數(shù)

a)集電極電流范圍(Ic)：1μA/度～5A/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級，各檔誤差不大于3％。

b)二極管電流范圍(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5進(jìn)制分9檔，各檔誤差不大于3％。

c)集電極電流及二極管電流倍率×0.5，誤差不大于10％。

d)基極電流或基極源電壓0.1V/度，誤差不大于3％。

2.集電極電壓偏轉(zhuǎn)系數(shù)

a)集電極電壓范圍(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級，各檔誤差不大于3％。

b)二極管電壓范圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5進(jìn)制分3檔級，各檔誤差不大于10％。

c)基極電壓范圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5進(jìn)制分7檔級，各檔誤差不大于3％。

d)基極電流或基極源電壓:：0.05V/度，誤差不大于3％。

3.基極階梯信號

a)階梯電流范圍(IB)： 1uA/度～200mA/度。按1、2、5進(jìn)制分17檔級，各檔誤差不大于5％。

b) 階梯電壓范圍(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5進(jìn)制分5檔級，各檔誤差不大于5％。

c) 串聯(lián)電阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各檔誤差不大于10％。

d) 階梯波形：分正常（100）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調(diào)節(jié)范圍為10～40%。

e) 每簇級數(shù)：0～10級，連續(xù)可調(diào)。

f) 階梯偏置電壓(△VB)：-6V～+6V，連續(xù)可調(diào)。

g) 階梯作用：分重復(fù)、關(guān)、單次三檔級。

h) 階梯輸入：分正常、零電流、零電壓三檔級。

i) 階梯極性：分正、負(fù)二檔。

4. 集電極掃描電壓

a) 輸出電壓與檔級： 

0～10V  正或負(fù)連續(xù)可調(diào)

0～50V  正或負(fù)連續(xù)可調(diào)

0～50V  正或負(fù)連續(xù)可調(diào)

0～100V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)

0～500V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)

b)  輸出電流容量：     0～10V    50A（脈沖階梯工作狀態(tài)時(shí)）

               0～10V    20A（平均值）

               0～50V    10A（平均值）

               0～100V   5A （平均值）

               0～500V   0.5A（平均值）

 c) 功耗限制電阻：    0～500KΩ  按1、2、5進(jìn)制分20檔級，各檔誤差不大于10％。

d) 整流方式：       全波

e)  輸出極性：     ＋，－

f)  集電極容性電流； 平衡后不超過2uA（10V檔）

g)  集電極漏電流；  平衡后不超過2uA（10V檔）

5. 二極管測試裝置

a)  輸出電壓：    0～5000V    正向連續(xù)可調(diào)

b)  輸出電流容量：  大為5mA

c)  整流方式：    半波

6. 其他

a)適配器    (測直插式元器件)  

  高壓測試座、三極管測試座、 3根測試線

b) 重量   約30kg。

c)外形尺寸

 300mm×408mm×520mm（W×H×D）。

d)功耗： 非測試狀態(tài)時(shí)： 約80VA；

大功率時(shí)：   約300VA。

e) 輸入電壓： 220V±10％；

f) 頻率：   50HZ±5％。

g) 示波管：  有效工作面8×10cm。