DDCOM X射線單晶定向儀

產(chǎn)品特點(diǎn)

確定單晶的晶格取向，使用Omega掃描方法的超高速晶體定位，測(cè)量立方晶體任意未知取向的測(cè)定，特別設(shè)計(jì)用于點(diǎn)陣方向的方位設(shè)置和標(biāo)記。氣冷式x射線管，無需水冷，
適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制。 X射線單晶定向儀

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹：

技術(shù)特點(diǎn)

確定單晶的晶格取向

使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量

立方晶體任意未知取向的測(cè)定

特別設(shè)計(jì)用于點(diǎn)陣方向的方位設(shè)置和標(biāo)記

氣冷式x射線管，無需水冷

適合于研究和生產(chǎn)質(zhì)量控制

X射線單晶定向儀

所有想要的晶體方向參數(shù)在5秒內(nèi)一次旋轉(zhuǎn)中被捕獲

可測(cè)量材料的例子

? 立方/任意未知方向：Si， Ge， GaAs， GaP， InP

? 立方/特殊取向：Ag， Au， Ni， Pt， GaSb， InAs， InSb， AlSb， ZnTe， CdTe， SiC3C， PbS， PbTe， SnTe， MgO， LiF， MgAl2O4， SrTiO3， LaTiO3

? 正方：MgF2， TiO2， SrLaAlO4

? 六方/三角：SiC 2H， 4H， 6H， 15R， GaN， ZnO， LiNbO3， SiO2（石英），Al2O3（藍(lán)寶石），GaPO4， La3Ga5SiO14

? 斜方晶系：Mg2SiO4 NdGaO3

? 可根據(jù)客戶的要求進(jìn)一步選料

X射線單晶定向儀

DDCOM的應(yīng)用

平面方向的標(biāo)記和測(cè)量

在晶圓片的注入和光刻過程中，需要平面或凹槽作為定位標(biāo)記。切割過程中，晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此，檢查平面或缺口的位置至關(guān)重要。

為了確定平面或缺口的位置，就需要測(cè)量平面內(nèi)的部件。由于Omega掃描法可以在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位，基于此，便可以直接識(shí)別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。

DDCOM通過旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤，可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶的特定位置。在必須定義平面方向的情況下，這可以極大簡(jiǎn)化將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的過程。