PHI X-tool 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

PHI X-tool 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

產(chǎn)品特點(diǎn)

一束高能初級(jí)離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質(zhì)量分析器探測(cè)出來(lái)
對(duì)于無(wú)機(jī)材料, 原子離子百分含量> 10%

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品介紹：

一束高能初級(jí)離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片
只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質(zhì)量分析器探測(cè)出來(lái)
對(duì)于無(wú)機(jī)材料, 原子離子百分含量> 10%

Excitation Process激發(fā)過(guò)程

離子產(chǎn)生和表面靈敏度

一束高能初級(jí)離子轟擊樣品表面激發(fā)出原子和分子碎片 

只一小部分激發(fā)出的粒子以離子的狀態(tài)離開表面，被質(zhì)量分析器探測(cè)出來(lái)

對(duì)于無(wú)機(jī)材料, 原子離子百分含量> 10%

對(duì)于有機(jī)材料，原子和分子離子碎片百分含量可以從 .001% 到 1%

只從表面2個(gè)分子層激發(fā)出的粒子可以以離子態(tài)離開表面

TOF-SIMS 主要功能

采集離子質(zhì)譜圖用于表面元素（原子離子），同位素，分子化學(xué)結(jié)構(gòu)（通過(guò)分子離子碎片）的表征

點(diǎn)或面掃描（2D成像）得到成分分布像，觀察不同成分在同一條線或面的分布情況

深度剖析和3D成像可以分析不同的膜層結(jié)構(gòu)和成分深度分布信息：多層膜層結(jié)構(gòu)表征，成分摻雜深度，擴(kuò)散，吸附等表征

應(yīng)用實(shí)例：

• 所有元素探測(cè)– H, He, Li, etc. （H~U)

• 同位素的探測(cè) – 2H, 3H, He, Li, 18O, 13C, etc.

• 詳細(xì)的分子信息 – 有機(jī)和無(wú)機(jī)

• 分子成像 

• 平行探測(cè)–圖像中每一像素點(diǎn)都有對(duì)應(yīng)的全質(zhì)譜

• 表面靈敏 – 樣品表面 1-3 個(gè)原子 /分子層

• 痕量分析靈敏度高 – 0.1 到 1 ppm 原子濃度

• 快速數(shù)據(jù)采集 – 通常 1 – 15 分鐘 (表面 IMS)

• 高空間分辨率

• < 70 nm （成像模式下）

• < 0.5 µm  （保持較好質(zhì)量分辨率下）

•  表面物理形貌信息 

•  離子擊發(fā)出的 SEI （二次電子像） < 60 nm

•  大的立體接收角 ~ 180o

• 可分析所有材料 – 導(dǎo)體，半導(dǎo)體和絕緣材料

技術(shù)參數(shù)：