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MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 杭州雷邁科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 更新時(shí)間 2024/12/11 18:49:11
  • 訪問(wèn)次數(shù) 334

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杭州雷邁科技有限公司(Labmates Technology成立于2010,公司致力于實(shí)驗(yàn)室*科學(xué)儀器和工業(yè)專用設(shè)備的研發(fā)、銷售和技術(shù)服務(wù),產(chǎn)品應(yīng)用于新材料、電子、半導(dǎo)體、化工、光伏、玻璃等眾多行業(yè)及高等院校和科研機(jī)構(gòu)。

公司主營(yíng)產(chǎn)品包括鐵電材料測(cè)試儀、寬頻介電阻抗譜儀、薄膜壓電測(cè)試儀、3D輪廓儀、顯微CT、光譜分析儀、X射線衍射儀和分光光度儀等分析測(cè)試儀器和設(shè)備。我們關(guān)注科技發(fā)展趨勢(shì)和動(dòng)態(tài),與時(shí)俱進(jìn)引進(jìn)新興功能性材料的分析和表征整體解決方案,已與眾多高校及科研院所建立起技術(shù)交流和合作關(guān)系,以專業(yè)應(yīng)用技術(shù)為優(yōu)勢(shì),以產(chǎn)品整體解決方案為己長(zhǎng),為用戶提供可靠的產(chǎn)品和有效的服務(wù)。

經(jīng)過(guò)團(tuán)隊(duì)每一個(gè)成員的持續(xù)努力和奮斗,公司不斷拓展業(yè)務(wù)范圍和知識(shí)的邊界,穩(wěn)步發(fā)展。專業(yè)的銷售和技術(shù)服務(wù)工程師,結(jié)合*的產(chǎn)品和誠(chéng)實(shí)守信的經(jīng)營(yíng)理念,贏得廣大客戶的認(rèn)可。特別在不斷涌現(xiàn)的新材料和技術(shù)方面,我們緊跟步伐,不斷開(kāi)拓,竭誠(chéng)為廣大客戶提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)!

我們的愿景是通過(guò)提供以科學(xué)為基礎(chǔ)的高品質(zhì)、新技術(shù)的產(chǎn)品和服務(wù),成為*實(shí)驗(yàn)室的專業(yè)合作伙伴,此正是我們的英文名稱“Labmates”之寓意。我們真誠(chéng)感謝客戶的支持,期待分享一個(gè)成功的未來(lái)。





分光測(cè)色儀,鐵電測(cè)試儀,光學(xué)輪廓儀,原子力顯微鏡,光譜儀,測(cè)配色系統(tǒng)等實(shí)驗(yàn)室儀器和設(shè)備

產(chǎn)地類別 國(guó)產(chǎn) 價(jià)格區(qū)間 5萬(wàn)-10萬(wàn)
應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子,交通,航天,電氣

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀基于激光干涉原理,激光干涉儀是高精度、高靈敏度的測(cè)量?jī)x器,廣泛應(yīng)用在先進(jìn)制造領(lǐng)域。MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀采用了自主研發(fā)的高度集成化的激光傳感平臺(tái),以工業(yè)應(yīng)用中最重要的線型標(biāo)定為核心,將干涉儀的參考光路內(nèi)置于干涉儀中,將光學(xué)相干光路等集成在單個(gè)光電芯片上,一步實(shí)現(xiàn)激光干涉儀的線型測(cè)長(zhǎng)和標(biāo)定功能,從而簡(jiǎn)化了干涉儀系統(tǒng)測(cè)試時(shí)的復(fù)雜程度。

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀


MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀半導(dǎo)體典型應(yīng)用

●超高精度位置跟蹤應(yīng)用

在光刻過(guò)程中,分辨率是反映光刻機(jī)理論上可識(shí)別的最小特征尺寸的重要指標(biāo),也決定著運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)的控制精度。由于整個(gè)曝光過(guò)程中要求系統(tǒng)以恒定的速度運(yùn)行,對(duì)速度的均勻性要求較高,因此對(duì)控制的精度的要求更為苛刻,通常情況下,勻速性由跟蹤誤差反映,無(wú)掩模掃描式光刻系統(tǒng)的控制要滿足納米級(jí)精度, 工件臺(tái)自身的控制也要求達(dá)到該數(shù)量級(jí),并且工件臺(tái)控制系統(tǒng)的跟蹤定位精度也是影響套刻精度的重要因素,預(yù)防反復(fù)曝光芯片刻蝕過(guò)程中,發(fā)生偏離導(dǎo)致電路圖案扭曲影響芯片性能。


l  平面檢測(cè)

在光刻測(cè)量過(guò)程中,硅片在高速運(yùn)動(dòng)情況下,容易發(fā)生形變,從而影響硅片的平面度,降低光刻精度。為了優(yōu)化硅片平臺(tái)的操作模式,需要一種納米級(jí)超高精度、無(wú)接觸的形變量測(cè)量方式。



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