化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>熱工藝設(shè)備/熱處理設(shè)備>退火爐>CY-RTP1000-Φ200-300-T 鹵素?zé)鬜TP退火爐
CY-RTP1000-Φ200-300-T 鹵素?zé)鬜TP退火爐
參考價(jià) | ¥ 15000 |
訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 鄭州成越科學(xué)儀器有限公司
- 品牌 其他品牌
- 型號(hào) CY-RTP1000-Φ200-300-T
- 產(chǎn)地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2024/12/18 10:50:13
- 訪問(wèn)次數(shù) 5
聯(lián)系我們時(shí)請(qǐng)說(shuō)明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!
簡(jiǎn)單介紹:
鹵素?zé)鬜TP退火爐是一款6寸片快速退火爐,采用革新的加熱技術(shù),可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量,不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償,溫度控制**,溫度重復(fù)性高,客戶包括國(guó)際上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì),是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。
技術(shù)特色:
• 真正的基片溫度測(cè)量,無(wú)需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償
• 紅外鹵素管燈加熱
• 極其優(yōu)異的加熱溫度**性與均勻性
• 快速數(shù)字PID溫度控制
• 不銹鋼冷壁真空腔室
• 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
• 結(jié)構(gòu)緊湊,小型桌面系統(tǒng)
• 帶觸摸屏的PC控制
• 兼容常壓和真空環(huán)境,真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr,采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr
• *高3路氣體(MFC控制)
• 沒(méi)有交叉污染,沒(méi)有金屬污染
真實(shí)基底溫度測(cè)量技術(shù)介紹:
如上圖,由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測(cè)量基片溫度,由于熱電偶與基片有一定距離,測(cè)量的不是基片真實(shí)的溫度,必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。
采用專用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測(cè)溫,如上圖,接觸測(cè)溫儀與片狀Real T/C KIT相連,工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置,陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面,樣品被加熱,片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱,由于基片與Real T/C KIT很近,它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞,并很快達(dá)到熱平衡,所以片狀Real T/C KIT測(cè)量的溫度就無(wú)限接近基片真實(shí)的溫度,從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測(cè)量。
技術(shù)參數(shù):
產(chǎn)品名稱 | 鹵素?zé)?/span>RTP退火爐 |
產(chǎn)品型號(hào) | CY-RTP1000-Φ150-T |
基片尺寸 | 6英寸 |
基片基座 | 石英針(可選配SiC涂層石墨基座) |
溫度范圍 | 150-1250℃ |
加熱速率 | 10-150℃/S |
溫度均勻性 | ≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor) |
溫度控制精度 | ≤ ±3℃ |
溫度重復(fù)性 | ≤ ±3℃ |
真空度 | 5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr |
氣路供應(yīng) | 標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路,由MFC控制(*多可選3路) |
退火持續(xù)時(shí)間 | ≥35min@1250℃ |
溫度控制 | 快速數(shù)字PID控制 |
尺 寸 | 870mm*650mm*620mm |