太陽能級硅少子壽命測試儀

太陽能級硅少子壽命測試儀
功能特點：本設(shè)備是按照國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導(dǎo)衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導(dǎo)衰減法在我國半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗，經(jīng)過數(shù)次全國十多個單位巡回測試的考驗，證明是一種成熟可靠的測試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量；也可對硅片進(jìn)行測量，給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡便。

產(chǎn)品特點
■ 可測量太陽能級多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對切割面或研磨面進(jìn)行測量。
■ 可測量太陽能級單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命，表面無需拋光、鈍化。
■ 液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時顯示動態(tài)光電導(dǎo)衰退波形。

技術(shù)參數(shù)
配置兩種波長的紅外光源
■ 1.07μm波長紅外光源，光穿透硅晶體深度較深≥500μm，有利于準(zhǔn)確測量晶體少數(shù)載流子體壽命。
■ 0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強較強，有利于測量低阻太陽能級硅晶體。
測量范圍
■ 研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω·㎝的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對壽命。
■ 拋光面：電阻率在0.1～0.01Ω·㎝范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
壽命可測范圍
■ 分體式： 2μS—10ms
■ 一體式： 0.5μS—20ms
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