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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>其它半導體行業(yè)儀器設(shè)備>少子壽命測試儀>ZH8204 數(shù)字式硅晶體載流子復合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶)

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ZH8204 數(shù)字式硅晶體載流子復合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶)

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 北京中慧天誠科技有限公司
  • 品牌
  • 型號 ZH8204
  • 產(chǎn)地 國產(chǎn)
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時間 2017/10/11 12:45:02
  • 訪問次數(shù) 995

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中慧天誠是一家集儀器表供應,技術(shù)服務(wù),售后為一體的儀器儀表供應商。

空氣臭氧發(fā)生器;擴散氫測定儀;瓦斯蒸氣粉塵和懸浮物;汽車尾氣分析儀;煙道氣綜合分析儀;石油產(chǎn)品采樣器;食品檢測儀;固定式可燃氣體探測器;手持式辛烷值儀;快速水份測定儀;二氧化氯發(fā)生器;身高體重測量儀

數(shù)字式硅晶體載流子復合壽命測試儀/少子壽命測試儀(鑄造多晶)
型號:ZH8204
 
產(chǎn):
100C型200型的的zui大區(qū)別只是紅外激光管的功率大了一倍,加了個紅外地光照破除陷進效應
τ:1~6000μs   ρ>0.1Ω·cm太陽能硅片壽命,配已知壽命樣片、配數(shù)字示波器,
本設(shè)備是按照標準GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測定的高頻光電導衰減法”設(shè)計制造。高頻光電導衰減法在我國半導體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運用了三十多年,積累了豐富的使用經(jīng)驗,經(jīng)過數(shù)次十多個單位巡回測試的考驗,證明是一種成熟的測試方法,適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測量;也可對硅片進行測量,給出相對壽命值。方法本身對樣品表面的要求為研磨面,因此制樣簡便。
產(chǎn)品特點:
可測量太陽能多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面拋光,直接對切割面或研磨面進行測量,儀器可按需方提供的有標稱值的校準樣品調(diào)試壽命值。
可測量太陽能單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對壽命,表面拋光、鈍化。
液晶屏上直接顯示少子壽命值,同時在線顯示光電導衰退波形。
配置的紅外光源:0.904~0.905μm波長紅外脈沖激光器,光穿透硅晶體深度較淺≈30μm,但光強較強,有利于測量低阻太陽能硅晶體少數(shù)載流子體壽命,脈沖功率30W。
為消除陷進效應增加了紅外低光照。
測量范圍寬廣
測試儀可直接測量:
 a、研磨或切割面:電阻率≥0.5Ω?cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命,切割片的少子相對壽命。
 b、拋光面:電阻率在0.5~0.01Ω?cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶拋光片。
范    圍:0.5μs~6000μs
電 阻 率:ρ﹥0.1Ω·cm(非回爐料)
測試速度:1分鐘/片
紅外光源波長: 0.904~0.905μm
高頻振蕩源:用石英諧振器,振蕩頻率:30MHZ
前置放大器,放大倍數(shù)約25,頻寬2HZ-2MHZ
可測單晶尺寸:斷面豎測:
直徑25mm-150mm;厚度2mm-500mm
縱向臥測:直徑5mm-20mm;長度50mm-200mm
測量方式:采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式
測試分辨率:數(shù)字存儲示波器zui小分辨率0.01μs
設(shè)備重量:20 Kg
儀器電源:電源電壓類型:單相210~230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓,不能與未做保護措施的大功率、高頻設(shè)備共用電源。

 



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