ICP刻蝕——感應(yīng)耦合等離子體刻蝕

ICP 感應(yīng)耦合等離子體反應(yīng)室示意圖

感應(yīng)耦合等離子體（ICP）相關(guān)產(chǎn)品

主要特點：

• 分開的感應(yīng)耦合等離子體的射頻發(fā)生器和電極的射頻發(fā)生器提供了對離子能量和離子密度的分別控制
• 高傳導(dǎo)率的氣泵端口為zui快的刻蝕速率提供高的氣量
• 靜電屏消除了電容耦合，減小了對器件的電損傷，減少了反應(yīng)室的顆粒
• 牛津儀器的ICP工具包括標配的晶片夾具和氦氣冷卻，在一個廣泛、可選的溫度范圍內(nèi)提供優(yōu)異的溫度控制

ICP優(yōu)點：

• 通過高的離子密度（>1011 cm3）和高的基團密度可以獲得高的刻蝕速率
• 通過低的離子能量能夠獲得對選擇比和損傷的控制
• 對感應(yīng)耦合等離子體和電極射頻的分別控制提供了高的工藝靈活性
• 化學(xué)的和離子誘導(dǎo)的刻蝕
• 為了某些低刻蝕速率的應(yīng)用，也可以以感應(yīng)離子刻蝕的模式運行
• 可以用于以感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積模式進行沉積，提供：
  - 比等離子體增強化學(xué)氣相沉積的溫度低的條件下沉積致密的薄膜
  - 在溫度敏感的襯底上進行低損傷的沉積

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