詳細(xì)摘要： 有序介孔碳-cmk-8 Ordered Mesoporous Carbon - cmk-8制備方法：模板法 空間群：la3d比表面積（平方米/克）：720孔徑（...

詳細(xì)摘要： The first MoWTe2 ternary alloy.

詳細(xì)摘要： In the bulk form （TlSe）, Thalium selenide, has band-gap at around 0.7 eV and dis...

詳細(xì)摘要： World's first commercially available PbGa2Se4 crystals!

詳細(xì)摘要： 多孔碳 Porous Carbon密度（g/cm3）：~ 0.3粒徑（µm）（D50）：5或8灰分含量（%）：≤0.5% pH值：6.5-7.5表面積...

詳細(xì)摘要： 無序介孔碳 Disordered Mesoporous制備方法：硬模板法合成比表面積（平方米/克）：600平均孔徑（納米）：50納米顆粒尺寸：1微米可逆容量（第...

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詳細(xì)摘要： 氮摻雜有序介孔碳 N-Doped Mesoporous Carbon制備方法：硬模板氮摻雜的介孔碳 CMK-3平均尺寸：1 um碳/氮（原子）：4.3空間群：二...

詳細(xì)摘要： Similar to graphene and MoS?, VSe? is also layered material （layered transition ...

詳細(xì)摘要： First commercially available CoSe2 crystals. They are perfectly layered and samp...

詳細(xì)摘要： 羧基石墨烯水溶液 Carboxyl Graphene Water Dispersion直徑：1~5um厚度：0.8~1.2nm羧基比例：5%純度：99%

詳細(xì)摘要： InSe （indium selenide） is the first commercially available InSe layered material...

詳細(xì)摘要： 單層氧化石墨烯乙醇溶液 Single Layer Graphene Oxide Ethanol Dispersion制備方法：改良的H法濃度為5mg/mL 10...

詳細(xì)摘要： 單層氧化石墨烯水溶液 Single Layer Graphene Oxide Water Dispersion新產(chǎn)品：gno1w001制備方法：改良的H法濃度：...

詳細(xì)摘要： In the bulk form SnSe has band-gap at around 0.9 eV （indirect） and 1.25 direct g...

詳細(xì)摘要： Semiconductor analog of graphene: Graphene oxide has been synthesized at our R&D...

詳細(xì)摘要： More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as w...

詳細(xì)摘要： 氧化石墨烯（進(jìn)口） Graphite Oxide用H法制備，水溶性好直徑：0.5~5um厚度：1~3nm

詳細(xì)摘要： Unlike other sources, our GaSe crystals are best suited towards electronic and o...

詳細(xì)摘要： Our single crystal GeSe （Germanium selenide） crystals come with guaranteed optic...