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基于285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜
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  • 基于285nm二氧化硅基底的單層氮化硼薄膜

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貨物所在地： 江蘇泰州市
產(chǎn)地： 新加坡
更新時(shí)間： 2024-09-19 21:00:27
有效期： 2024年9月19日--2025年3月19日
已獲點(diǎn)擊： 219
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates （p-doped）, 1cmx1cm: 4 pack
Properties of BN film
97% coverage with minor holes and organic residues
High Crystalline Quality

詳細(xì)介紹

Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates (p-doped), 1cmx1cm: 4 pack

Properties of BN film

97% coverage with minor holes and organic residues

High Crystalline Quality

The Raman spectrum should peak at ~1369cm-1

Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates (p-doped), 1cmx1cm: 4 pack

Properties of BN film

97% coverage with minor holes and organic residues

High Crystalline Quality

The Raman spectrum should peak at ~1369cm-1

Single Layer CVD hexagonal Boron Nitride Film on 285 nm SiO2/Si substrates (p-doped), 1cmx1cm: 4 pack

Properties of BN film

97% coverage with minor holes and organic residues

High Crystalline Quality

The Raman spectrum should peak at ~1369cm-1

 

 

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