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1*1cm單層-二氧化硅基底石墨烯
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  • 1*1cm單層-二氧化硅基底石墨烯

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貨物所在地： 上海上海市
產(chǎn)地： 美國(guó) ACSMaterial
更新時(shí)間： 2024-09-19 21:00:27
有效期： 2024年9月19日--2025年3月19日
已獲點(diǎn)擊： 242
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二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細(xì)介紹

二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

二氧化硅基底石墨烯（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底（1*1cm單層） Graphene on SiO2
表面電阻：小于600Ω/sq
定做：＜300Ω/sq
透明度：> 95%
制備方法：
1）采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2）石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

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