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1*1cm單層-硅基底石墨烯(1*1cm單層)
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  • 1*1cm單層-硅基底石墨烯(1*1cm單層)

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貨物所在地: 上海上海市
產(chǎn)地: 美國ACSMaterial
更新時間: 2024-09-19 21:00:27
期: 2024年9月19日--2025年3月19日
已獲點(diǎn)擊: 176
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產(chǎn)品簡介

硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

詳細(xì)介紹

硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

硅基底石墨烯(1*1cm單層) Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
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定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制備方法:
1)采用化學(xué)氣相沉積方法制備銅基石墨烯
2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

Graphene on Si
表面電阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
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2)石墨烯從銅轉(zhuǎn)移到硅襯底

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