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[供應(yīng)]GEST-201-半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀

貨物所在地:北京北京市

產(chǎn)地:北京市昌平區(qū)

更新時間:2025-01-25 21:00:07

有效期:2025年1月25日 -- 2025年7月25日

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半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標(biāo)自動測量系統(tǒng),可以自由設(shè)置測量點數(shù)量,自動測試完成,可以對測試出的數(shù)據(jù)進行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。

產(chǎn)品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

一、產(chǎn)品概述

儀器采用了*電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。

二、儀器構(gòu)成:

1、 高精度電阻率測試儀

3、 測試探頭

高精度電阻率測量儀:

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴展)

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2電流誤差:±0.5%

三坐標(biāo)測試移動品臺:

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

四探針測試電極:

上位機軟件測量成像系統(tǒng)

2、 測量點數(shù):可以設(shè)定

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像

 

 

 

 

——按照IEC60405的要求進行降雨和噴鹽霧。——將絕緣子放置距5000W盜弧燈約48cm以內(nèi)就可達到模擬太陽輻射。注:為了引用方便,各條款號與本標(biāo)準(zhǔn)正文相同。相同設(shè)計、材料和工藝情況下,只進行一次。依次在至少800mm長的3只試品上進行。-陡波前沖擊電壓:兩個電極間的距離為500mm;

無擊穿,依次在至少800mm長的6只試品上進行。沒有破壞、沒有*抽出。2只試品,爬電距離在484mm至693mm之間。電壓:1kV每34.6mm的爬電距離,不超過3次過流中斷,沒有起痕,沒有擊穿,沒有蝕損至芯棒。注:對在惡劣的環(huán)境條件下使用的絕緣子,由用戶和制造廠協(xié)議可采用兩種供選擇的試驗程序。10只試品,6只試品,無擊穿,無閃絡(luò),5只試樣,依次在絕緣距離不小于800mm的4只試品上進行。注:本項試驗進行與否,以及試驗電壓和接受的干水平,由相關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)或供需雙方協(xié)議規(guī)定。無破壞,無裂紋或裂紋未達到芯棒。陡波前沖擊電壓,兩電極間相隔500mm,正負(fù)極性各25次外部閃絡(luò)。在下表D.1中綜合給出所有試驗及其次序和試品數(shù)量。

表E.1給出了本標(biāo)準(zhǔn)與IEC1992技術(shù)性差異及其原因的一覽表。5.1.4.2陡度由“不小于1000kV/橢”修改為'陡度不小于1000kV/Ms但上限不超過5。陡度應(yīng)該有范圍,以便調(diào)整波形;對于整只正常生產(chǎn)的產(chǎn)品的爬電比距大于20mm/kV時,試驗電壓應(yīng)經(jīng)供需雙方協(xié)議確定

 

 

 

半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀

半導(dǎo)體硅片電阻率成像測定儀

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