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[供應(yīng)]GEST-201-非接觸半絕緣SiC電阻率測量儀

貨物所在地:北京北京市

產(chǎn)地:北京市昌平區(qū)

更新時間:2025-02-17 21:00:07

有效期:2025年2月17日 -- 2025年8月17日

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非接觸半絕緣SiC電阻率測量儀主要通過四探針法測試單晶硅電阻率,具有自動定位的三坐標(biāo)自動測量系統(tǒng),可以自由設(shè)置測量點數(shù)量,自動測試完成,可以對測試出的數(shù)據(jù)進(jìn)行2D成像,是智能化、集成化很高的晶圓電阻率測試儀器。

產(chǎn)品名稱:全自動晶圓成像電阻率測試儀

一、產(chǎn)品概述

儀器采用了*電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。

二、儀器構(gòu)成:

1、 高精度電阻率測試儀

3、 測試探頭

高精度電阻率測量儀:

1.1電阻率:0.00001~20000Ω.cm (可擴(kuò)展)

1.3電阻:0.00001~20000Ω.cm;

2.1量程0.01mV-2000 mV

2.3 精度:±0.1% ;

3、恒流源:

3.2電流誤差:±0.5%

三坐標(biāo)測試移動品臺:

2、X軸Y軸*小位移量:0.125MM

四探針測試電極:

上位機(jī)軟件測量成像系統(tǒng)

2、 測量點數(shù):可以設(shè)定

4、 2D成像:測試完成后,可以立體成像




并且可以證實絕緣子耐受住了制造者給出的額定機(jī)械負(fù)荷。A.4中給出了根據(jù)使用者要求的負(fù)荷和保證值(斜率和額定機(jī)械負(fù)荷)來選擇絕緣子的例子。本試驗的目的是檢查絕緣子強(qiáng)度與時間的對數(shù)關(guān)系曲線的斜率是否不大于某一規(guī)定值。通常,該曲線的斜率沒有規(guī)定。但實際上常見的大值在(5%?7%)1min破壞負(fù)荷時間對數(shù)刻度。為了安全起見,同意規(guī)定此強(qiáng)度——時間曲線的斜率不得超過8%芯棒1min破壞負(fù)荷時間對數(shù)刻度。求得該斜率的簡單辦法是做兩個機(jī)械破壞負(fù)荷試驗:一個是在1min期間的。

另一個是在96h期間的。但是,要預(yù)知能給出平均破壞時間為96h的負(fù)荷是很難的。這是因為,對于相同的1min破壞負(fù)荷,如果曲線的斜率是6%而不是8%,則按96h試驗8%斜率算岀的這個負(fù)荷要維持到平均10個星期。因此,做這一試驗的實際方法是,首先做1min破壞負(fù)荷試驗,然后再做96h耐受試驗,從中再估算出96h破壞負(fù)荷。注:96h持續(xù)時間實際上是根據(jù)其位于對數(shù)坐標(biāo)中1min?50年的中間位置并考慮一些試驗室的具體做法而選取的。1min平均破壞負(fù)荷(M’Q和該數(shù)值分散性的標(biāo)準(zhǔn)偏差(處)二者是必要的,后者用來計算96h耐受值。通常是做3只絕緣子的1min破壞負(fù)荷試驗并算出其平均值(Mav)o然后選取一個定值作為其標(biāo)準(zhǔn)偏差。






非接觸半絕緣SiC電阻率測量儀

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