CEL-SPS1000表面光電壓譜儀

CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）表面光電壓是固體表面的光生伏應(yīng)，是光致電子躍遷的結(jié)果。半導(dǎo)體材料的光生電壓性能的測(cè)試分析、可開(kāi)展光催化等方面的機(jī)理研究，應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、光解水制氫等方面的研究，可用于研究光生電荷的性質(zhì)，如：光生電荷擴(kuò)散方向；解析光生電荷屬性等。主要代表材料有TiO2、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。

CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）

CEL-SPIP表面光電壓升級(jí)QE/IPCE模塊

CEL-SPEC表面光電壓升級(jí)光電化學(xué)QE/IPCE模塊

CEL-SPS1000表面光電壓譜儀 （SPV/SPC/SPS）

優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)

表面光電壓是固體表面的光生伏應(yīng)，是光致電子躍遷的結(jié)果。

1876年，W.GAdam就發(fā)現(xiàn)了這一光致電子躍遷現(xiàn)象;

1948年才將這一光生伏應(yīng)作為光譜檢測(cè)技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的特征參數(shù)和表面特性研究上，這種光譜技術(shù)稱為表面電壓技術(shù)（Surface Photovoltaic Technique，簡(jiǎn)稱SPV）或表面光電壓譜（Surface Photovoltaic Spectroscopy，簡(jiǎn)稱SPS）。表面光電壓技術(shù)是一種研究半導(dǎo)體特征參數(shù)的途徑，這種方法是通過(guò)對(duì)材料光致表面電壓的改變進(jìn)行分析來(lái)獲得相關(guān)信息的。

1970年，表面光伏研究獲得重大突破，美國(guó)麻省理工學(xué)院Gates教授的研究小組在用低于禁帶寬度能量的光照射CdS表面時(shí)，歷史性的*次獲得入射光波長(zhǎng)與表面光電壓的譜圖，以此來(lái)確定表面態(tài)的能級(jí)，從而形成了表面光電壓這一新的研究測(cè)試手段。

SPV技術(shù)是較靈敏的固體表面性質(zhì)研究的方法之一，其特點(diǎn)是操作簡(jiǎn)單、再現(xiàn)性好、不污染樣品，不破壞樣品形貌，因而被廣泛應(yīng)用于解析光電材料光生電荷行為的研究中。

SPV技術(shù)所檢測(cè)的信息主要是樣品表層（一般為幾十納米）的性質(zhì)，因此不受基底或本體的影響，這對(duì)光敏表面的性質(zhì)及界面電子轉(zhuǎn)移過(guò)程的研究顯然很重要。由于表面電壓技術(shù)的原理是基于檢測(cè)由入射光誘導(dǎo)的表面電荷的變化，其檢測(cè)靈敏度很高，而借助場(chǎng)誘導(dǎo)表面光電壓譜技術(shù)可以用來(lái)測(cè)定半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型（特別是有機(jī)半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型）、半導(dǎo)體表面參數(shù)，研究納米晶體材料的光電特性，了解半導(dǎo)體光激發(fā)電荷分離和電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體的譜帶解釋，并為研究符合體系的光敏過(guò)程和光致界面電荷轉(zhuǎn)移過(guò)程提供可行性方法。

由于SPV技術(shù)的諸多優(yōu)點(diǎn)，SPV技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是今年來(lái)隨著激光光源的應(yīng)用、微弱信號(hào)檢測(cè)水平的提高和計(jì)算機(jī)技術(shù)的進(jìn)展，SPV技術(shù)應(yīng)用的范圍得到了很大的擴(kuò)展。

產(chǎn)品應(yīng)用
 半導(dǎo)體材料的光生電壓性能的測(cè)試分析、可開(kāi)展光催化等方面的機(jī)理研究，應(yīng)用于太陽(yáng)能電池、光解水制氫等方面的研究，可用于研究光生電荷的性質(zhì)，如：光生電荷擴(kuò)散方向；解析光生電荷屬性等。主要代表材料有TiO₂、ZnO、CdS、GaAs、CdTe、CdSe等。

表面光電壓譜的應(yīng)用技術(shù)參數(shù)

Scheme of thesurface photovoltage (SPV) setup applied for the measurements on multilayered sample of CdTe and CdSe NCs. Excitons are created upon light excitation, which diffuse through the structure and may reach andbecome separated at the type II CdTe/CdSe interface. The random diffusionof separated charges creates an electric field measured as the SPV signal U by two transparent outer FTO electrodes in a capacitor arrangement.

規(guī)格參數(shù)
表面光電壓譜的配置清單
1）光電壓測(cè)量：可檢測(cè)光伏>100nV；光譜波長(zhǎng)范圍：300-1000nm，光譜分辨率2nm；
2）光電流測(cè)量：可檢測(cè)光電流>100 pA；光譜波長(zhǎng)范圍：300-1000nm，光譜分辨率2nm；
3）光伏相位譜：相檢測(cè)范圍：-180°至+180°；光譜波長(zhǎng)范圍：300-1000nm；
（1）氙燈光源
參數(shù)：
技術(shù)參數(shù)：
1.燈泡電功率：500W氙燈；2.電流調(diào)節(jié)范圍：15A-25A；3.點(diǎn)光輸出直徑：4-6mm；4.平行光輸出直徑：50mm；5.發(fā)射光譜范圍：200nm-2500nm；6.平行光輸出直徑：50-60mm；7.變焦功能：有；（可改變光輸出圓斑大?。?br/>基本配置：1.穩(wěn)流電源；2.燈箱及光學(xué)匯聚系統(tǒng)；3.預(yù)裝國(guó)產(chǎn)500W氙燈一只；4.使用說(shuō)明書(shū)；
（2）單色儀
技術(shù)參數(shù)：
1.波長(zhǎng)范圍：190-2000nmnm；2.焦距：300mm；3.相對(duì)孔徑: f/3.9；4.光學(xué)結(jié)構(gòu):C-T；5.分辨率（nm）：0.1；6.倒線色散(nm/mm): 2.7；
（3）斬波器（斯坦福）
技術(shù)參數(shù)：
1.具有電壓控制輸入，四位數(shù)字頻率顯示，十段頻率控制，和兩種可選工作模式的參考輸出；2.4Hz—3.7kHz斬波頻率；3.單光束和雙光束調(diào)制；4.低相位抖動(dòng)頻和差頻參考信號(hào)輸出；5.USB轉(zhuǎn)232串口線；
（4）鎖相放大器（斯坦福）
技術(shù)參數(shù)：
1.mHz-102.4kHz頻率范圍；2.大于100dB動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)；3.5ppm/oC的穩(wěn)定性；4.0.01度相位分辨率；5.時(shí)間常數(shù)10us-30ks；6.同步參考源信號(hào)；7.GPIB及RS232接口；8.9轉(zhuǎn)25串口線；
9.USB轉(zhuǎn)232串口線
（5）控制軟件
數(shù)據(jù)記載，數(shù)據(jù)保存，應(yīng)用于表面光電壓譜的數(shù)據(jù)反饋
主要配件：
1.光學(xué)導(dǎo)軌及滑塊；2.光電壓及光電流池；3.外電場(chǎng)調(diào)系統(tǒng)；4.電流-電壓轉(zhuǎn)換器；5.計(jì)算機(jī)；