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產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
| 手動(dòng)無接觸硅片測(cè)試儀 | |||
| 型號(hào) | SY.29-300 | ||
| 圖片 |  | ||
| 簡(jiǎn)介 | 手動(dòng)無接觸硅片測(cè)試儀可以測(cè)量硅片厚度、總厚度變化 TTV 、彎曲度，該儀器適用于 Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎所有的材料，所有的設(shè)計(jì)都符合 ASTM（ 美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)協(xié)會(huì) ） 和 Semi 標(biāo)準(zhǔn)，確保與其他工藝儀器的兼容與統(tǒng)一。  手動(dòng)無接觸硅片測(cè)試儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn) ■ 無接觸測(cè)量 ■ 適用的晶圓材料包括Si，GaAs，InP，Ge等幾乎所有的材料 ■ 厚度和 TTV 測(cè)量采用無接觸電容法探頭 ■ 高分辨率液晶屏顯示厚度和 TTV 值 ■ 性價(jià)比高 ■ 菜單式快速方便設(shè)置 ■ 高分辨率液晶 LCD 顯示 ■ 提供和計(jì)算機(jī)連接的輸出端口 ■ 提供打印機(jī)端口 ■ 便攜且易于安裝 ■ 為晶圓硅片關(guān)鍵生產(chǎn)工藝提供精確的無接觸測(cè)量 ■ 高質(zhì)量微處理器為精確和重復(fù)精度高的測(cè)量提供強(qiáng)力保障 ■ 高質(zhì)量 聚四氟乙烯晶圓測(cè)試架，為晶圓硅片精確定位提供保障 手動(dòng)無接觸硅片測(cè)試儀 - 技術(shù)指標(biāo) ■ 晶圓硅片測(cè)試尺寸： 50 mm - 300mm. ■ 厚度測(cè)試范圍： 1000 u m ， 可擴(kuò)展到 1700 um. ■ 厚度測(cè)試精度： +/-0.25um ■ 厚度重復(fù)性精度： 0.050umm ■ TTV 測(cè)試精度 : +/-0.05um ■ TTV 重復(fù)性精度 : 0.050um ■ 彎曲度測(cè)試范圍： +/-500um [+/-850um] ■ 彎曲度測(cè)試精度： +/-2.0umm ■ 彎曲度重復(fù)性精度： 0.750umm ■ 晶圓硅片導(dǎo)電型號(hào)： P 或 N 型 ■ 材料： Si ， GaAs ， InP ， Ge 等幾乎 所有半導(dǎo)體材料 ■ 可用在： 切片后、磨片前、后， 蝕刻，拋光 以及出廠、入廠質(zhì)量檢測(cè)等 ■ 平面 / 缺口：所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口 ■ 硅片安裝：裸片，藍(lán)寶石 / 石英基底， 黏膠帶 ■ 連續(xù) 5 點(diǎn)測(cè)量 手動(dòng)無接觸硅片測(cè)試儀 - 應(yīng)用范圍 > 切片 >>線鋸設(shè)置 >>>厚度 >>>總厚度變化TTV >>監(jiān)測(cè) >>>導(dǎo)線槽 >>>刀片更換 >磨片/刻蝕和拋光 >> 過程監(jiān)控 >> 厚度 >>總厚度變化TTV >> 材料去除率 >> 彎曲度 >> 翹曲度 >> 平整度 > 研磨 >> 材料去除率 > zui終檢測(cè) >> 抽檢或全檢 >> 終檢厚度 | ||