E+H電導(dǎo)率傳感器CLS15D-B4D1技術(shù)信息

浸入在介質(zhì)中的兩個(gè)電極測量液體的E+H電導(dǎo)率傳感器CLS15D-B4D1。交流電壓在介質(zhì)中生成電流，為電極供電。根據(jù)歐姆定律計(jì)算電阻值或電導(dǎo)值 G (電阻值的倒數(shù))。與傳感器結(jié)構(gòu)相關(guān)的電極常數(shù) k 確定電導(dǎo)值，并通過此電導(dǎo)值確定實(shí)際電導(dǎo) κ。

Memosens 技術(shù)對傳感器中的測量值進(jìn)行數(shù)字式處理，并通過非接觸式連接將測量值傳輸至變送器，無電氣干擾。優(yōu)點(diǎn)如下：

• 傳感器故障或傳感器和變送器間的連接中斷時(shí)，自動(dòng)發(fā)出錯(cuò)誤信息

• 及時(shí)錯(cuò)誤檢測，提升了測量點(diǎn)適用性

Memosens 傳感器內(nèi)置電子部件，用于儲存標(biāo)定參數(shù)和其他附加信息，例如：總工作小時(shí)數(shù)工況條件下的工作小時(shí)數(shù)。正確連接傳感器后，傳感器參數(shù)自動(dòng)傳輸至變送器中，用于計(jì)算當(dāng)前測量值。電極中儲存標(biāo)定參數(shù)，可以在測量點(diǎn)之外進(jìn)行傳感器標(biāo)定和調(diào)節(jié)。優(yōu)點(diǎn)如下：

• 在優(yōu)化外部條件的測量實(shí)驗(yàn)室中簡單標(biāo)定，提升標(biāo)定質(zhì)量。

• 可以快速、簡便地更換預(yù)標(biāo)定傳感器，極大地提升測量點(diǎn)的適用性。

• 基于所有儲存的傳感器負(fù)荷參數(shù)和標(biāo)定參數(shù)可以確定維護(hù)時(shí)間間隔。

• 傳感器歷史可以儲存在外部數(shù)據(jù)儲存器中，可在任何時(shí)間進(jìn)行評估。因此，可以基于先前歷史確認(rèn)傳感器的當(dāng)前應(yīng)用。

優(yōu)勢

適用于低電導(dǎo)率量程范圍

測量表面經(jīng)過拋光處理，易清洗

耐受蒸汽消毒和高壓滅菌工藝

質(zhì)量證書中記錄有精準(zhǔn)電極常數(shù)

記錄保存?zhèn)鞲衅鲄?shù)，輕松溯源，支持預(yù)維護(hù)

采用非接觸式感應(yīng)信號傳輸方式，具有高過程安全性

便捷維護(hù)策略，使用Memobase Plus輕松執(zhí)行傳感器標(biāo)定和管理

 通過非接觸式連接進(jìn)行感應(yīng)式測量值傳輸， Memosens 確保了*高過程安全性，具有下列優(yōu)點(diǎn)：

• 消除了所有濕氣導(dǎo)致的測量問題。

– 接頭連接免腐蝕。

– 不會因?yàn)闈駳鈱?dǎo)致測量值偏差。

– 接頭系統(tǒng)可以在水下連接。

• 變送器與介質(zhì)電氣隔離。

• 數(shù)字式測量值傳輸?shù)钠帘未胧┐_保了電磁兼容安全性(EMC)。

測量誤差： 每個(gè)傳感器在工廠中均精確測定，溶液約為 5 μS/cm 適用于電極常數(shù) 0.01 cm-1，或約為50 μS/cm 適用于電極常數(shù) 0.1 cm-1，采用符合 NIST 或 PTB 溯源認(rèn)證的參比系統(tǒng)。包裝中的質(zhì)量證書上標(biāo)識有精確電極常數(shù)值。確定電極常數(shù)的測量誤差為 1.0 %。